[发明专利]一种氧位掺杂、碳包覆的硅酸亚铁锂正极材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201811598924.0 申请日: 2018-12-26
公开(公告)号: CN109638267A 公开(公告)日: 2019-04-16
发明(设计)人: 张玉英 申请(专利权)人: 张玉英
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/0525
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摘要:
搜索关键词: 硅酸亚铁锂 碳包覆 氧位 掺杂 正极材料 制备 锂电池正极材料 电化学性能 溶胶凝胶法 合成硅酸 合成过程 离子迁移 氯掺杂剂 科琴黑 锂正极 亚铁
【说明书】:

发明涉及锂电池正极材料的技术领域,提供了一种氧位掺杂、碳包覆的硅酸亚铁锂正极材料的制备方法。该方法采用溶胶凝胶法合成硅酸亚铁锂正极材料,并在合成过程中采用氯掺杂剂对硅酸亚铁锂的氧位进行Cl掺杂,以科琴黑为碳源进行碳包覆,从而改善了硅酸亚铁锂的电子和离子迁移能力,使材料的电化学性能得到明显提高。

技术领域

本发明属于锂电池正极材料的技术领域,提供了一种氧位掺杂、碳包覆的硅酸亚铁锂正极材料的制备方法。

背景技术

正极材料作为锂电池的重要组成部分,其性能很大程度上决定着锂电池的性能,对正极材料的选择主要有以下要求:相对电池负极有较高的电位,物质组成稳定,较高的离子和电子电导率,结构稳定,热稳定性好,与有机电解质之间化学稳定性好等。聚阴离子型硅酸盐正极材料不仅符合上述要求,而且具有原料价格低廉、储量丰富和环境更友好的特性,因此被认为是锂电池的良好正极材料。

硅酸盐正极材料中,硅酸亚铁锂的所有阳离子均以四面体配位的形式存在,晶体结构属于正交晶系,为Pmn21空间群,其结构特点为,FeO4和SiO4四面体以有规律的旋转方式排列,锂离子位于两个四面体的两层之间的顶点位置,使锂离子具有二维可移动性,在充放电过程中更易脱嵌,因此具有理论比容量高的优点。

但是,硅酸亚铁锂正极材料存在电导率低、离子扩散速度慢的缺陷,导致电化学性能较差,放电比容量与理论比容量差距很大。针对这种情况,目前对于硅酸亚铁锂的改性方法主要包括:一是表面包覆,包括碳包覆、磷酸盐包覆、导电聚合物包覆等;二是离子掺杂,包括锂位掺杂、铁位掺杂、氧位掺杂。

在通过碳包覆提高硅酸亚铁锂的电化学性能方面,常见的碳源为碳黑、乙炔黑、碳纳米管、葡萄糖、蔗糖之类。科琴黑作为一种高性能的超级导电碳黑,其具有很高的比表面积,目前已有通过科琴黑提高导电性的锂离子电池产品,但将科琴黑用作硅酸亚铁锂正极材料的碳包覆层的研究鲜有报道。

在通过离子掺杂提高硅酸亚铁锂的电化学性能方面,关于氧位掺杂的研究较少,目前有研究使用乙二胺同时对硅酸亚铁锂实现N掺杂和碳包覆,制得的材料在0.1C倍率下的首次放电比容量为130mA·h/g,循环50周后的放电比容量为124mA·h/g。另有研究采用氟化锂对硅酸亚铁锂实现F掺杂,制得的材料在55℃、0.3C倍率下的首次放电比容量为116.8mA·h/g,在室温、0.3C倍率下的首次放电比容量为73.4mA·h/g。

为了改善硅酸亚铁锂正极材料的电化学性能,本发明创造性地采用氯掺杂剂(氯化钠、氯化钙或氯化镁)进行氧位的Cl掺杂、采用科琴黑作为碳源进行碳包覆,以获取电化学性能更为优异的硅酸亚铁锂材料。

发明内容

本发明提出一种氧位掺杂、碳包覆的硅酸亚铁锂正极材料的制备方法,通过Cl掺杂和科琴黑包覆,使硅酸亚铁锂的电化学性能得到了明显提高。

本发明涉及的具体技术方案如下:

一种氧位掺杂、碳包覆的硅酸亚铁锂正极材料的制备方法,所述硅酸亚铁锂正极材料制备的具体步骤如下:

(1)按照化学计量比准备原材料:醋酸锂、草酸亚铁、正硅酸乙酯、氯掺杂剂;

(2)将醋酸锂溶于去离子水中,配成质量浓度为20~30%的溶液,记为溶液A;将草酸亚铁分散于去离子水中,配成固含量为5~10%的分散液,记为分散液B;将氯掺杂剂溶于去离子水中,配成质量浓度为10~20%的溶液,记为溶液C;将正硅酸乙酯溶于乙醇中,配成质量浓度为20~30%的溶液,记为溶液D;

(3)将溶液A加入分散液B中,搅拌混合20~40min;然后加入溶液C,搅拌10~20min,并置于水浴锅中加热至50~55℃;接着加入溶液D,搅拌反应40~50min;再逐滴加入冰醋酸,将温度升至70~80℃,搅拌反应4~6h;加入科琴黑粉体作为碳源,继续搅拌直至形成溶胶;

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