[发明专利]电子装置与电子装置的制造方法

权利要求书

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

一可挠式基板；以及

一电子元件层，设置在所述可挠式基板上；

其中所述可挠式基板具有一第一凹陷结构，设置在所述可挠式基板相反于所述电子元件层的一基板表面，且所述第一凹陷结构与所述可挠式基板边缘的距离小于或等于10毫米。

2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述可挠式基板还具有一第二凹陷结构，设置在所述可挠式基板的所述基板表面，所述电子元件层包括一电子元件，且所述第二凹陷结构在俯视方向上与所述电子元件重叠。

3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一凹陷结构的深度小于或等于10微米。

4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一凹陷结构的深度与所述可挠式基板的最大厚度的比值小于1。

5.如权利要求1或权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述第一凹陷结构在俯视方向上的图案为点状、条状、圆形、多边形或其组合。

6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述基板表面具有粗糙化表面的部分。

7.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一凹陷结构具有烧灼痕迹。

8.一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一载板；

在所述载板上形成一离型层，其中所述离型层具有相反于所述载板的一离型表面；

在所述离型层的所述离型表面上形成一可挠式基板，其中所述可挠式基板具有与所述离型表面接触的一基板表面；

在所述可挠式基板上形成一电子元件层，以使所述可挠式基板与所述电子元件层形成一电子装置；

在形成所述可挠式基板之后，在所述基板表面形成至少一凹陷结构，使得所述离型层与所述可挠式基板在所述凹陷结构的位置处彼此不接触；以及

在形成所述凹陷结构之后，进行一离型工艺，将所述电子装置从所述离型层分离。

9.如权利要求8所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述可挠式基板与所述离型层之间的整体附着力小于所述离型层与所述载板之间的整体附着力。

10.如权利要求8所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在形成所述凹陷结构的步骤中，包括利用一激光脉冲工艺形成所述凹陷结构。