[发明专利]发光元件及其操作方法在审
| 申请号： | 201811133091.0 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110137324A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 陈立宜;李欣薇 | 申请（专利权）人： | 美科米尚技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/38;H05B33/08 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张琳 |
| 地址： | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码： | 萨摩亚;WS |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一型半导体层 第二型半导体层 第一电极 第二电极 电性连接 发光元件 微型发光二极管 彼此电性 电阻 分隔 配置 | ||
1.一种发光元件，其特征在于，包含：
第一型半导体层，包含：
多个低阻值部分；以及
高阻值部分，其中该多个低阻值部分通过该高阻值部分而彼此分隔开，且该第一型半导体层的电阻值由该多个低阻值部分往该高阻值部分增加；
第二型半导体层，连接该第一型半导体层；
多个第一电极，电性连接至该多个低阻值部分，其中该多个第一电极彼此电性隔绝；以及
第二电极，电性连接至该第二型半导体层。
2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，进一步包含：
主动层，连接于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间。
3.如权利要求2所述的发光元件，其特征在于，该高阻值部分邻近于该多个第一电极的一侧的该电阻值大于该高阻值部分邻近于该主动层的一侧的该电阻值。
4.如权利要求2所述的发光元件，其特征在于，该高阻值部分邻近于该多个第一电极的一侧的该电阻值实质上等于该高阻值部分邻近于该主动层的一侧的该电阻值。
5.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该多个低阻值部分具有多个截面积，分别为A1、A2…An，n为该多个低阻值部分的总数量，且An大于或等于An-1。
6.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该多个低阻值部分的至少一个被该高阻值部分包围。
7.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该多个低阻值部分的至少一个延伸至该第一型半导体层的边缘。
8.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，进一步包含：
电流控制层，位于该多个第一电极与该第二电极之间，其中该电流控制层具有多个开口。
9.如权利要求8所述的发光元件，其特征在于，该多个开口在该第一型半导体层上的多个垂直投影至少部分地重叠该多个低阻值部分在该第一型半导体层上的多个垂直投影。
10.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该多个低阻值部分的每一个具有至少一个位置具有局部最小电阻值。
11.一种操作方法，用于操作如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该操作方法包含：
分别施加多个电压至该多个第一电极。
12.如权利要求11所述的操作方法，其特征在于，被施加至该多个第一电极中的两个的该多个电压彼此不同。
13.如权利要求11所述的操作方法，其特征在于，被施加至所有该多个第一电极的该多个电压彼此相同。
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