[发明专利]处理装置在审
申请号: | 201810996915.0 | 申请日: | 2018-08-29 |
公开(公告)号: | CN110875210A | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 邹金成;申兵兵;王敬苗 | 申请(专利权)人: | 东泰高科装备科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 韩建伟;谢湘宁 |
地址: | 102200 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
本发明提供了一种处理装置,包括:载具,用于放置产品;浸泡机构,浸泡机构能够储存液体,浸泡机构用于浸泡产品;第一移动机构,可移动地设置,第一移动机构具有将载具至少部分地放入浸泡机构的第一工况以及将载具从浸泡机构取出的第二工况;第二移动机构,可移动地设置在第一移动机构上,第二移动机构包括托载机构,托载机构用于承载和移动产品以将产品放入载具中。通过本发明提供的技术方案,可以自动将未完全分离的薄膜和晶片集中接收和处理,从而可以代替现有的人工处理的方式,提高处理效率,并且可以避免损伤薄膜。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种处理装置。
背景技术
带薄膜的晶片经过蚀刻工艺后,薄膜和晶片靠表面张力结合,如果刻蚀工艺效果不好,薄膜和晶片进行分离时不能完全分开,这时的薄膜和晶片的统称为NG wafer。对于未完全分开的薄膜和晶片,需要进行分拣与分离。目前该领域只是手动进行处理NG wafer,该方式需要实时监测并人工及时处理,人工处理效率较低,若处理不及时设备只能停产,限制了设备的产能。并且,正常分离的薄膜能够回收再利用,但人工处理容易损伤薄膜。
发明内容
本发明提供了一种处理装置,以解决现有技术中处理刻蚀后未完全分离的薄膜和晶片时,效率低并且容易损伤薄膜的问题。
为了解决上述问题,本发明提供了一种处理装置,包括:载具,用于放置产品;浸泡机构,浸泡机构能够储存液体,浸泡机构用于浸泡产品;第一移动机构,可移动地设置,第一移动机构具有将载具至少部分地放入浸泡机构的第一工况以及将载具从浸泡机构取出的第二工况;第二移动机构,可移动地设置在第一移动机构上,第二移动机构包括托载机构,托载机构用于承载和移动产品以将产品放入载具中。
进一步地,托载机构包括:托叉,托叉用于接收和承载产品;第一驱动部,托叉设置在第一驱动部上,第一驱动部具有将托叉移动到载具外部的第五工况以及将托叉移动到载具内部的第六工况。
进一步地,托载机构还包括:第二驱动部,第一驱动部设置在第二驱动部上,第二驱动部用于带动托叉移动以将托叉上的产品与托叉分离。
进一步地,第一驱动部用于带动托叉竖直移动,第二驱动部用于带动托叉水平移动,载具包括位于上部的入料口、位于侧面的第一避让口以及止挡件,止挡件位于第一避让口,止挡件用于止挡产品以将产品与托叉分离;第一移动机构处于第一工况,且第一驱动部处于第六工况时,第二驱动部能够带动托叉在第一避让口向载具外部移动,以通过止挡件将产品留在载具内部。
进一步地,载具还包括底板和围绕在底板边沿的侧板,止挡件与底板的顶面连接,托叉为两个,两个托叉间隔设置在第一驱动部上,两个托叉之间的间隔大于止挡件的宽度。
进一步地,第二移动机构为多个,第一移动机构为一个,多个第二移动机构并排设置在第一移动机构上;或,第二移动机构为多个,第一移动机构为多个,多个第二移动机构与多个第一移动机构一一对应设置。
进一步地,第一移动机构包括:支架,可移动地设置,第二移动机构设置在支架上;第一托架,设置在支架上,第二移动机构至少部分地位于第一托架的上方,第一托架用于承载载具。
进一步地,第一移动机构至少部分地位于浸泡机构的上方,第一移动机构还包括:第四驱动部,支架设置在第四驱动部上,第四驱动部用于带动支架竖直移动。
进一步地,第一托架包括间隔设置的两个托臂,两个托臂用于共同承载载具,第二移动机构能够将产品放入第一托架上的载具中。
进一步地,载具包括:底板;侧板,侧板围绕在底板的边沿以形成用于放置产品的容纳腔;托板,设置在侧板上,托板至少部分地凸出于侧板的外表面,托板为两个,两个托板分别位于容纳腔的两侧,两个托臂用于一一对应承载两个托板的下表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造