[发明专利]激光标记的刻印方法、带激光标记的硅晶片及其制造方法

说明书

本发明提出一种与以往相比能够提高晶片外周部的平坦度的激光标记的刻印方法。在向硅晶片刻印具有多个点的激光标记的方法中，其特征在于，将上述多个点的每一个借助第1工序（步骤S1）和第2工序（步骤S2）形成，所述第1工序（步骤S1）将激光以第1束径向上述硅晶片的外周部的规定的位置照射，所述第2工序（步骤S2）将激光以比上述第1束径小的第2束径向上述规定的位置照射。

技术领域

本发明涉及激光标记的刻印方法、带激光标记的硅晶片的制造方法及带激光标记的硅晶片。

背景技术

以往，作为半导体设备的基板而广泛地使用硅晶片。该硅晶片如以下这样得到。即，首先将借助切克劳斯基（Czochralski，CZ）法等培育的单结晶硅锭切断为块，将块的外周部磨削，然后进行切片。

对通过切片得到的硅晶片实施倒角处理、平坦化（研磨）处理。有时在被实施研磨处理后的硅晶片的正面或背面的外周部上，借助激光的照射而刻印用于晶片管理或识别的识别符号（标记）。由激光刻印的标记（以下，称作“激光标记”）利用由多个凹部（点）的集合形成的字符或记号构成，具有能够由目视或照相机等识别的大小。

借助上述激光的照射，在各点的周缘上形成环状的隆起部。因此，对被刻印了上述激光标记的硅晶片的至少刻印有激光标记的区域（以下，也称作“激光标记区域”）实施蚀刻处理而将上述隆起部除去，然后，对硅晶片的表面实施抛光处理（例如，参照专利文献1）。接着，对被实施了抛光处理的硅晶片实施最终清洗，然后进行各种检查，将满足规定的品质基准的晶片作为产品出厂。

近年来，半导体设备的微细化、高集成化日益进展，对于硅晶片要求非常高的平坦性。此外，关于设备形成区域，也逐年向晶片径向外侧扩大，对于晶片外周部也要求较高的平坦性。

在晶片外周部的平坦性的指标之一中，有ESFQD（Edge Site Front leastsQuares site Deviation，SEMI M67－1109）。ESFQD是指在硅晶片的外周部制作扇形的扇区、以用最小二乘法计算出该扇区内的高度数据后的部位内平面为基准面、距该平面的不包括符号的最大位移量，ESFQD对于各部位拥有一个值。其中，显示包括符号。

上述ESFQD的值的测量将没有形成设备的边缘除外区域（Edge Exclusion，EE）作为测量对象以外，在现状下，EE被设定为距晶片最外周2mm的区域（以下，也表述为“EE=2mm”）的情况较多。

专利文献1：日本特开2011－29355号公报。

如上述那样，在现状中设为EE=2mm的情况较多，但为了形成更多的元件，正在被要求向EE=1mm的缩小化。但是，本发明者的研究的结果表明，关于现状的在EE=2mm的条件下测量ESFQD的情况下能够实现晶片外周部的较高的平坦性的硅晶片，在EE=1mm的条件下测量ESFQD的情况下，晶片外周部的平坦度大幅恶化。

关于上述晶片外周部的平坦度的恶化，由于EE的变更，ESFQD的测量区域中包括的激光标记区域的大小不同。所以，预测因上述EE的变更带来的ESFQD的值的恶化是由于激光标记区域的平坦度导致的。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种能够比以往提高晶片外周部的平坦度的激光标记的刻印方法。

解决上述课题的本发明的主旨结构是以下这样的。

（1）一种激光标记的刻印方法，是向硅晶片刻印具有多个点的激光标记的方法，其特征在于，将前述多个点的每一个借助第1工序和第2工序形成，所述第1工序将激光以第1束径向前述硅晶片的外周部的规定的位置照射，所述第2工序将激光以比前述第1束径小的第2束径向前述规定的位置照射。

（2）如前述（1）所述的激光标记的刻印方法，前述第1束径是前述第2束径的超过100%且120%以下。