[发明专利]具有旁路的电平转换器在审
申请号: | 201810492025.6 | 申请日: | 2018-05-21 |
公开(公告)号: | CN108933591A | 公开(公告)日: | 2018-12-04 |
发明(设计)人: | 陈·安迪·旺坤;庄耀功;拉胡尔·马图拉;阿布舍克·巴拉迪亚;陈欣宇 | 申请(专利权)人: | ARM有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电平转换电路 旁路开关电路 电压域 旁路控制信号 输入信号转变 电平转换器 激活电平 输出信号 转换电路 旁路 集成电路 激活 | ||
本文描述的各种实现涉及具有电平转换电路和旁路开关电路的集成电路。电平转换电路被布置用于将来自第一电压域的输入信号转变为第二电压域的输出信号。旁路开关电路被布置用于基于旁路控制信号来激活和解激活电平转换电路。
背景技术
本节旨在提供与理解本文所述的各种技术相关的信息。正如本节的标题所暗示的,这是对相关技术的讨论,其绝不暗示它是现有技术。通常,相关技术可以被认为是或者可以不被认为是现有技术。因此,应当理解的是,本节中的任何陈述应当从这个角度来阅读,而不作为对现有技术的任何承认。
在现代电路设计中,存储器和相关机制支持用于位单元核心(VDDCE)和外围电路(VDDPE)的双电压轨。与VDDPE相比,VDDCE降低受位单元保持电压的限制并被保持在更高的电压处。然而,VDDPE降低通常受内部电路的限制。通常,VDDPE可能会限制芯片的节能。大范围电平转换可能需要将存储器内的所有输入的电平从低VDDPE域转换到更高VDDCE域,这可以使VDDPE能够低于VDDCE。然而,缺点是这种实现可能会对通过存储器内的电平转换器的所有信号造成延迟处罚,这可能导致定时劣化,例如存储器存取时间和输入引脚建立时间。
附图说明
本文参考附图描述了各种技术的实现。然而,应当理解,附图仅示出了本文所描述的各种实现,并不意味着限制本文所描述的各种技术的实施例。
图1示出了根据本文描述的实现的使用具有旁路的电平转换电路的存储器电路的图。
图2示出了根据本文描述的实现的具有旁路的电平转换电路的示意图。
图3示出了根据本文描述的实现的用于制造具有旁路的电平转换电路的方法的过程图。
具体实施方式
本文描述的各种实现涉及并针对用于实现具有旁路的电平转换电路的方案和技术。例如,本文中所描述的各种实现提供与用于将来自第一电压域的输入信号转变为第二电压域的输出信号的电平转换电路相关联的方案和技术,并且包括用于基于旁路控制信号来激活和解激活所述电平转换电路的旁路开关电路。此外,在一些情况下,本文提供的方案和技术可以提供具有可编程旁路的高速电平转换器。因此,本文描述的各种实现可以提供可靠电路,其通过实现用于高速应用的可编程旁路选项而允许在存储器电路中进行大范围电平转换。
因此,现在将参考图1-3来描述用于提供具有旁路的电平转换电路(或电平转换器)的各种实现。
图1示出了根据本文描述的各种实现的使用具有旁路控制功能的电平转换电路(LS)的存储器电路100的框图。如图所示,存储器电路100可以包括关联电路,诸如,例如输入电路102、解码器电路104和来自存储器核心阵列的输出106,其可以在各种类型的存储器应用(诸如,例如随机存取存储器(RAM)和/或包括任何类型的易失性和非易失性存储器的任何其他类型存储器)中实现为集成电路(IC)。在这种情况下,存储器电路100可以被实现为具有单轨或双轨存储器架构的IC。在其他情况下,存储器电路100可以与各种类型的计算电路和/或各种相关组件集成在单个芯片上。此外,存储器电路100可以在用于各种电子器件和移动应用的嵌入式系统中实现。
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