[发明专利]具有旁路的电平转换器在审
| 申请号： | 201810492025.6 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN108933591A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 陈·安迪·旺坤;庄耀功;拉胡尔·马图拉;阿布舍克·巴拉迪亚;陈欣宇 | 申请（专利权）人： | ARM有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电平转换电路 旁路开关电路 电压域 旁路控制信号 输入信号转变 电平转换器 激活电平 输出信号 转换电路 旁路 集成电路 激活 | ||
1.一种集成电路，包括：
电平转换电路，用于将来自第一电压域的输入信号转变为第二电压域的输出信号；以及
旁路开关电路，用于基于旁路控制信号来激活和解激活电平转换电路。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第二电压域不同于所述第一电压域。
3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，从片上系统SOC逻辑电压源VDDSOC得到第一电压域，且从核心电压源VDDCE得到第二电压域。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述电平转换电路包括多个晶体管，所述多个晶体管被布置用于将来自第一电压域的输入信号转变为第二电压域的输出信号。
5.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述多个晶体管包括P型金属氧化物半导体PMOS晶体管和N型MOSNMOS晶体管，所述多个晶体管被布置用于将来自第一电压域的输入信号转变为第二电压域的输出信号。
6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述旁路开关电路包括耦接到电平转换电路的旁路晶体管。
7.根据权利要求6所述的集成电路，其中，所述旁路晶体管作为用于基于旁路控制信号来激活和解激活电平转换电路的开关操作。
8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，利用旁路开关电路解激活电平转换电路，通过为输入信号传播通过集成电路提供更快的路径来提高集成电路的速度性能。
9.根据权利要求1所述的集成电路，其中，利用旁路开关电路激活电平转换电路，通过使输入信号通过电平转换电路来增加集成电路的定时延迟。
10.根据权利要求1所述的集成电路，其中，利用旁路开关电路解激活电平转换电路，通过允许输入信号绕过电平转换电路来减少集成电路的定时延迟。
11.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述集成电路被配置用于存储器应用，所述存储器应用支持大范围电平转换以实现在多个电压域中的动态电压频率缩放。
12.一种集成电路，包括：
具有多个晶体管的电平转换电路，所述多个晶体管被布置用于将来自第一电压域的输入信号转变为不同于第一电压域的第二电压域的输出信号；以及
具有旁路晶体管的旁路开关电路，旁路晶体管作为用于基于旁路控制信号来激活和解激活电平转换电路的开关操作。
13.根据权利要求12所述的集成电路，其中，从片上系统SOC逻辑电压源VDDSOC得到第一电压域，且从核心电压源VDDCE得到第二电压域。
14.根据权利要求12所述的集成电路，其中，所述电平转换电路的多个晶体管包括P型金属氧化物半导体PMOS晶体管和N型MOSNMOS晶体管，所述多个晶体管被布置用于将来自第一电压域的输入信号转变为第二电压域的输出信号。
15.根据权利要求12所述的集成电路，其中，利用旁路开关电路解激活电平转换电路，通过为输入信号传播通过集成电路提供更快的路径提高集成电路的速度性能。
16.根据权利要求12所述的集成电路，其中，利用旁路开关电路激活电平转换电路，通过使输入信号通过电平转换电路来增加集成电路的定时延迟。
17.根据权利要求12所述的集成电路，其中，利用旁路开关电路解激活电平转换电路，通过允许输入信号绕过电平转换电路来减少集成电路的定时延迟。
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