[发明专利]一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构有效
申请号: | 201810477570.8 | 申请日: | 2018-05-18 |
公开(公告)号: | CN108666374B | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 王岚;杨蕾;张元秋;常青;吴俊旻;张冠伦 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(安徽)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224 |
代理公司: | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人: | 杨俊达 |
地址: | 230088 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 背面 钝化 矩阵 激光 开槽 导电 结构 | ||
1.一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构,包括硅片衬底(1),其特征在于:所述硅片衬底(1)背面设置有叠层背面钝化膜(2),所述叠层背面钝化膜(2)上间隔设置有背面电极主栅区(3),所述背面电极主栅区(3)采用分段式设置,且背面电极主栅区(3)数量为3-12个、宽度为0.6-2.2mm;
在所述叠层背面钝化膜(2)上非背面电极主栅区(3)通过500-1200nm波段的激光束进行激光开槽形成重复点群组结构单元(4),所述重复点群组结构单元(4)由2-18个圆孔状激光光斑(5)重叠3%-17%圆面积区域构成,所述重复点群组结构单元(4)的中心点间隔0.2-1.0mm,所述圆孔状激光光斑(5)的开槽深度为73nm以上,且圆孔状激光光斑(5)的直径为20-50um。
2.根据权利要求1所述的一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构,其特征在于:所述叠层背面钝化膜(2)包括氧化硅膜层、氧化铝膜层以及氮化硅膜层,所述氧化硅膜层为2-6nm,所述氧化铝膜层为3-26nm,所述氮化硅膜层为70-130nm。
3.根据权利要求1所述的一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构,其特征在于:所述重复点群组结构单元(4)距离硅片衬底(1)边缘0.5-1.5mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的