[发明专利]一种微观制备六方相二碲化锗晶体的方法有效
| 申请号： | 201810369029.5 | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN108456929B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 张伟;王疆靖 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B1/02;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/22;C23C14/58 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 姚咏华 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 六方相晶体 非晶薄膜 晶体的 六方相 碲化锗 预处理 微观结构表征 薄膜制备 微观 锗锑碲 电学性能测试 退火 分子束外延 磁控溅射 电学测试 电学性能 高温退火 平台测试 性能表征 异质结构 主体材料 氩气气氛 碲元素 衬底 主流 观察 | ||
【权利要求书】：
1.一种微观制备六方相二碲化锗晶体的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤1：选择能够进行微观结构表征或电学性能测试的衬底；
步骤2：选择锗锑碲化合物作为异质结构的主体材料；所述锗锑碲化合物为GeSb2Te4或Ge2Sb2Te5；
步骤3：利用磁控溅射或分子束外延薄膜制备方法制备出碲元素含量高的非晶薄膜，指非晶薄膜中碲元素含量比所选锗锑碲化合物GeSb2Te4或Ge2Sb2Te5中碲元素含量高出0.1～0.5；
步骤4：将制备好的非晶薄膜进行高温退火处理，温度为250～400℃，并在氩气气氛或真空下进行保护，形成六方相晶体结构；
步骤5：对退火后的六方相晶体样品进行预处理，包括采用等离子清洗、聚焦离子束或离子减薄；
步骤6：利用TEM来表征预处理后的六方相晶体样品的结构，或利用电学测试平台测试其电学性能，即完成六方相二碲化锗晶体的微观制备。
2.根据权利要求1所述的一种微观制备六方相二碲化锗晶体的方法，其特征在于，所述选择进行微观结构表征的衬底为表面附有碳支持膜的TEM标准尺寸铜载网。
3.根据权利要求1所述的一种微观制备六方相二碲化锗晶体的方法，其特征在于，所述选择进行电学性能测试的衬底为硅片。
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