[发明专利]一种检测站的来料负荷控制方法有效
申请号: | 201810362521.X | 申请日: | 2018-04-20 |
公开(公告)号: | CN108766903B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 韩超;龙吟;倪棋梁 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201200 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 检测 来料 负荷 控制 方法 | ||
1.一种检测站的来料负荷控制方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1,获得所述检测站的待检队列中的待检晶圆组的总数,并判断所述待检晶圆组的总数是否大于一预设的临界值M,M为正整数:
若是,则进行步骤S2;
若否,则回到步骤S1;
步骤S2,根据一预设的评分规则获得每一所述待检晶圆组的检测评分;
步骤S3,将所述待检队列中的所述待检晶圆组按照所述检测评分从大到小排列;
步骤S4,保留前M个所述待检晶圆组,将其余所述待检晶圆组移出所述检测站的所述待检队列,随后转到步骤S1;
所述评分规则的公式为:
其中:
Qi为所述待检队列中的待检晶圆组的检测评分,i为所述待检晶圆组的编号;
ni为所述待检晶圆组i在进入所述检测站被检之前所依次经过的工艺处理的数量;
为所述编号为i的所述待检晶圆组在第ni个所述工艺处理中的一间隔数值。
2.根据权利要求1所述的检测站的来料负荷控制方法,其特征在于,每一所述工艺处理对应一加工记录表,所述加工记录表中依次记录了经过所述工艺处理的所有晶圆组的所述编号。
3.根据权利要求2所述的检测站的来料负荷控制方法,其特征在于,在所述加工记录表中,所述待检晶圆组与在上一已被检测的所述晶圆组之间的所述晶圆组数量为所述间隔数值。
4.根据权利要求1所述的检测站的来料负荷控制方法,其特征在于,将每一所述待检晶圆组所对应的每一所述间隔数值与一预设的门限值比较,并判断所述间隔数值是否大于预设的所述门限值:
若是,则将一预设的替换值代替原有的所述间隔数值进行所述检测评分的计算;
若否,则保持所述间隔数值不变。
5.根据权利要求4所述的检测站的来料负荷控制方法,其特征在于,所述替换值为1000。
6.根据权利要求4所述的检测站的来料负荷控制方法,其特征在于,所述门限值为8。
7.根据权利要求1所述的检测站的来料负荷控制方法,其特征在于,在所述步骤S3与所述步骤S4之间,对排列后的所述待检队列进行重新排列,所述重新排列的过程包括以下步骤:
步骤S31,将所述待检队列中所述检测评分相同且连续的所述待检晶圆组作为一重排队列,从而获得若干重排队列;
步骤S32,获得每一所述重排队列中的每一所述待检晶圆组所对应的所有间隔数值中的最大值,随后在每一所述重排队列中,所述待检晶圆组按照所述最大值从大到小排列。
8.根据权利要求7所述的检测站的来料负荷控制方法,其特征在于,在所述步骤S32中,在每一所述重排队列中,根据每一所述待检晶圆组所依次经过的工艺处理的数量从大到小排列。
9.根据权利要求7所述的检测站的来料负荷控制方法,其特征在于,在所述步骤S32中,在每一所述重排队列中,根据每一所述待检晶圆组的待检时间由小到大排列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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