[发明专利]感测放大器的布局图有效
申请号: | 201810361216.9 | 申请日: | 2018-04-20 |
公开(公告)号: | CN110390119B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 永井享浩 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392;G11C7/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放大器 布局 | ||
本发明公开一种感测放大器的布局图,其包含一等化器和预充电器区,在等化器和预充电器区内设置有一等化器晶体管和一预充电器晶体管以及一栅极线。栅极线和预充电器晶体管共用一共用插塞分别作为栅极线的栅极插塞以及预充电器晶体管的源极/漏极插塞。
技术领域
本发明涉及一种感测放大器的布局图,特别是涉及一种具有共用插塞的感测放大器的布局图。
背景技术
随着目前科技的高速发展,存储器广泛用于电子装置中,例如电脑、服务器、诸如移动电话等的手持式装置、印表机和许多的电子装置及应用。存储器由多个存储单元、预充电电路、写入电路、行与列解码器与感测放大器等电路所构成。在存储器中,感测放大器用于通过差分信号来感测数据输送以用于写入到存储器或者从存储器读出。然而随着半导体元件的集成度增加,感测放大器中的金属线路的密度也随之上升,较大的金属线路的密度会造成感测放大器在制作工艺上的困难。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种感测放大器的布局图,其具有改良后的金属线路密度。
根据本发明的一优选实施例,一种感测放大器的布局图,包含一基底包含一等化器和预充电器区,一第一方向和一第二方向互相垂直。等化器和预充电器区包含一主动区域设置于基底中,主动区域包含一第一长条区向第二方向延伸,一第二长条区和一第三长条区由第一长条区向第一方向延伸,并且第二长条区和第三长条区互相平行,第一长条区和第二长条区垂直。一绝缘元件设置于基底中,并且围绕主动区域。一等化器栅极线和一预充电器栅极线设置于基底上并且和第一长条区平行,等化器栅极线和预充电器栅极线覆盖第二长条区、绝缘元件和第三长条区。一栅极线设置于基底上并且和第一长条区平行,栅极线覆盖第一长条区和绝缘元件,预充电器栅极线位于等化器栅极线和栅极线之间。二源极/漏极插塞设置于第二长条区内并且分别位于等化器栅极线的两侧以及一共用插塞接触第一长条区以及栅极线。
本发明利用共用插塞节省了金属导电线的总数量,使得金属导电线的密度下降,因此图案化金属导电线的困难度也降低。
附图说明
图1为本发明的第一优选实施例所绘示的感测放大器的示意布局图;
图2为图1中的感测放大器的等效电路图;
图3为图1中的等化器和预充电器区的局部放大图;
图4为图3中沿AA’切线方向的侧视图;
图5为图3中沿BB’切线方向的侧视图;
图6为本发明的另一优选实施例所绘示的图3中沿AA’切线方向的侧视图;
图7为本发明的优选实施例所绘示的图3的布局图叠加上金属导电线的示意图;
图8为图7中沿着切线CC’方向和切线DD’方向所绘示的侧视图;
图9为本发明的第二优选实施例所绘示的感测放大器的布局示意图;
图10为图9中的等化器和预充电器区叠加上金属导电线的局部布局示意图。
主要元件符号说明
10 基底 12 开关区
12a 开关区 14 第一晶体管区
16 等化器和预充电器区 18 第二晶体管区
20 P型晶体管 22 P型晶体管
24 N型晶体管 26 N型晶体管
28 开关晶体管 28a 开关晶体管
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