[发明专利]感测放大器的布局图有效
申请号: | 201810361216.9 | 申请日: | 2018-04-20 |
公开(公告)号: | CN110390119B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 永井享浩 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392;G11C7/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放大器 布局 | ||
1.一种感测放大器的布局图,其特征在于,包含:
基底,包含一第一方向、一第二方向、一等化器和预充电器区,该第一方向和该第二方向互相垂直,其中该等化器和预充电器区包含:
主动区域,设置于该基底中,该主动区域包含第一长条区向该第二方向延伸,第二长条区和第三长条区由该第一长条区向该第一方向延伸,并且该第二长条区和该第三长条区互相平行,该第一长条区和该第二长条区垂直;
绝缘元件,设置于该基底中,并且围绕该主动区域;
等化器栅极线和预充电器栅极线,设置于该基底上并且和该第一长条区平行,该等化器栅极线和该预充电器栅极线覆盖该第二长条区、该绝缘元件和该第三长条区;
栅极线,设置于该基底上并且和该第一长条区平行,该栅极线覆盖该第一长条区和该绝缘元件,该预充电器栅极线位于该等化器栅极线和该栅极线之间;
两个源极/漏极插塞,设置于该第二长条区内并且分别位于该等化器栅极线的两侧;以及
共用插塞,接触该第一长条区以及该栅极线。
2.如权利要求1所述的感测放大器的布局图,另包含:该两个源极/漏极插塞设置于该第三长条区内并且分别位于等化器栅极线的两侧。
3.如权利要求1所述的感测放大器的布局图,另包含:
层间介电层,覆盖该等化器栅极线、该预充电器栅极线和该栅极线,并且该两个源极/漏极插塞和该共用插塞都穿透该层间介电层;以及
多条金属导电线,设置在该层间介电层上且接触该层间介电层和该两个源极/漏极插塞,并且该多条金属导电线向该第一方向延伸且横跨该主动区域;其中该共用插塞不接触任何位于该层间介电层上并且接触该层间介电层的该多条金属导电线。
4.如权利要求3所述的感测放大器的布局图,还包含:
N型晶体管区,包含二N型晶体管设置其中;
P型晶体管区,设置于该基底上并且位于该等化器和预充电器区的另一侧,该P型晶体管区包含二P型晶体管设置其中;以及
开关区,设置于该P型晶体管区的一侧,其中该开关区包含:
开关晶体管。
5.如权利要求3所述的感测放大器的布局图,其中该栅极线的上表面形成一阶梯轮廓。
6.如权利要求1所述的感测放大器的布局图,其中该两个源极/漏极插塞、部分的该等化器栅极线和部分的该主动区域共同构成一等化器晶体管,部分的该预充电器栅极线、位于该等化器栅极线和该预充电器栅极线之间的该源极/漏极插塞、该共用插塞和部分的该主动区域共同组成一预充电晶体管。
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