[发明专利]具有限定有源区的线型沟道的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

在半导体基板上彼此平行的多个平行沟槽；

在所述半导体基板上彼此平行的多个交叉沟槽；

在所述半导体基板上由所述平行沟槽和所述交叉沟槽限定的多个有源区；

跨过所述有源区的多条下导线；

彼此间隔开的多条上导线，交叉所述下导线并跨过所述有源区；以及

连接到所述有源区的数据存储元件，其中：

所述平行沟槽和所述交叉沟槽的每个是直线形，

在俯视图中，所述上导线和所述平行沟槽彼此部分地重叠，并且

所述交叉沟槽交叉所述平行沟槽和所述下导线并与所述平行沟槽形成锐角。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在所述俯视图中，所述上导线交叉所述平行沟槽，并且

其中在所述俯视图中，所述上导线不关于所述平行沟槽成直角。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在所述俯视图中，所述上导线的至少一部分与所述平行沟槽形成锐角。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在所述俯视图中，所述上导线交叉所述交叉沟槽，并且

其中在所述俯视图中，所述上导线不关于所述交叉沟槽成直角。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述下导线和所述上导线的每个为直线形，并且

其中所述上导线与所述下导线形成直角。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述交叉沟槽与所述下导线形成锐角。

7.一种半导体装置，包括：

在半导体基板上彼此平行的第一平行沟槽和第二平行沟槽；

在所述半导体基板上彼此平行的第一交叉沟槽和第二交叉沟槽；

有源区，在所述半导体基板上由所述第一平行沟槽和所述第二平行沟槽以及所述第一交叉沟槽和所述第二交叉沟槽限定；

一对字线，跨过所述有源区并彼此平行；

位线，跨越所述有源区，其中所述位线交叉所述一对字线；

掩埋接触插塞，与所述位线间隔开并且连接到所述有源区；以及

在所述掩埋接触插塞上的存储节点，其中：

所述第一平行沟槽和所述第二平行沟槽以及所述第一交叉沟槽和所述第二交叉沟槽的每个是直线形，

所述第一平行沟槽和所述第二平行沟槽交叉所述位线，并且

所述第一交叉沟槽和所述第二交叉沟槽交叉所述第一平行沟槽和所述第二平行沟槽以及所述一对字线，并与所述第一平行沟槽和所述第二平行沟槽形成锐角。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中在俯视图中，所述位线的至少一部分与所述第一平行沟槽和所述第二平行沟槽形成锐角。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中在俯视图中，所述位线的至少一部分与所述第一交叉沟槽和所述第二交叉沟槽形成锐角。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一平行沟槽和所述第二平行沟槽与所述第一交叉沟槽和所述第二交叉沟槽形成锐角。