[发明专利]透射电镜微栅及透射电镜微栅的制备方法

权利要求书

1.一种透射电镜微栅的制备方法，其具体包括以下步骤：

提供一基底，在所述基底的表面形成一石墨烯层；

将一碳纳米管膜结构覆盖于所述基底形成有石墨烯层的表面；

用腐蚀液去除所述基底，将所述石墨烯层与所述碳纳米管膜结构形成的石墨烯层/碳纳米管膜结构复合结构置于一清洗液表面清洗；

提供一多孔氮化硅基底，所述多孔氮化硅基底具有多个通孔，利用所述多孔氮化硅基底从清洗液中捞起所述石墨烯层/碳纳米管膜结构复合结构，使所述石墨烯层与所述多孔氮化硅基底贴合并覆盖所述多个通孔；

去除所述碳纳米管膜结构，所述石墨烯层转移至所述多孔氮化硅基底的表面，并在所述多个通孔的位置悬空，形成一透射电镜微栅。

2.如权利要求1所述的透射电镜微栅的制备方法，其特征在于，所述石墨烯层为一连续的一体结构。

3.如权利要求1所述的透射电镜微栅的制备方法，其特征在于，所述石墨烯层的层数为1～3层。

4.如权利要求1所述的透射电镜微栅的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管膜结构由至少两层碳纳米管膜交叉层叠设置而成，所述碳纳米管膜包括多个首尾相连且沿同一方向延伸的碳纳米管，所述多个碳纳米管的延伸方向平行于所述碳纳米管膜的表面，且相邻两层碳纳米管膜中的碳纳米管的延伸方向形成一夹角α，0°α≤90°。

5.如权利要求1所述的透射电镜微栅的制备方法，其特征在于，所述去除所述碳纳米管膜结构具体包括以下步骤：

在所述碳纳米管膜结构远离所述多孔氮化硅基底的表面形成一高分子聚合物膜；

采用加热或辐照处理所述高分子聚合物膜；

撕下所述高分子聚合物膜，所述碳纳米管膜结构随所述高分子聚合物膜撕下而被去除。

6.如权利要求5所述的透射电镜微栅的制备方法，其特征在于，经加热或辐照处理后，所述高分子聚合物膜内部交联程度变高，所述碳纳米管膜结构与所述高分子聚合物膜之间的结合力大于所述碳纳米管膜结构与所述石墨烯层之间的结合力。

7.如权利要求1所述的透射电镜微栅的制备方法，其特征在于，所述去除所述碳纳米管膜结构具体包括以下步骤：

所述碳纳米管膜结构由n层碳纳米管膜交叉层叠设置而成时，其中，n≥2，沿碳纳米管的延伸方向，用镊子依次撕下所述碳纳米管膜结构表面的第1层～第n-1层碳纳米管膜；

提供至少一条状结构，所述条状结构具有粘性，将所述条状结构放置在第n层碳纳米管膜的表面，所述条状结构设置于所述石墨烯层所在区域的一侧，且所述条状结构的延伸方向垂直于所述第n层碳纳米管膜中碳纳米管的延伸方向；

沿所述碳纳米管的延伸方向撕下所述条状结构，所述第n层碳纳米管膜随所述条状结构撕下而被去除。