[发明专利]蒸镀掩模、蒸镀掩模装置的制造方法以及蒸镀掩模的制造方法有效
申请号: | 201810014059.4 | 申请日: | 2018-01-08 |
公开(公告)号: | CN108286034B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 池永知加雄 | 申请(专利权)人: | 大日本印刷株式会社 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F1/44;G03F1/72;C23C14/04;C23C14/24 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;邓毅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 蒸镀掩模 装置 制造 方法 以及 | ||
本发明提供蒸镀掩模、蒸镀掩模装置的制造方法以及蒸镀掩模的制造方法,在设从P1点至Q1点的尺寸为X1,设从P2点至Q2点的尺寸为X2,且设规定的值为αX时,蒸镀掩模满足并且满足|X1‑X2|≤60μm。
技术领域
本发明涉及蒸镀掩模、蒸镀掩模装置的制造方法以及蒸镀掩模的制造方法。
背景技术
近年,对于在智能手机或平板电脑等可移动设备中使用的显示装置,要求高精细化,例如要求像素密度为500ppi以上。另外,即使对于可移动设备,应对超高清的需要也在不断高涨,这种情况下,要求显示装置的像素密度为例如800ppi以上。
在显示装置中,由于响应性良好、能耗低且对比度高,有机EL显示装置正在受到关注。作为形成有机EL显示装置的像素的方法,已知这样的方法:使用形成有以所希望的图案排列的贯通孔的蒸镀掩模,以所希望的图案形成像素。具体来说,首先,使蒸镀掩模紧密贴合于有机EL显示装置用的基板,接着,将紧密贴合的蒸镀掩模和基板一起放入蒸镀装置中,执行使有机材料蒸镀到基板上的蒸镀工序。这种情况下,为了精密地制作具有高像素密度的有机EL显示装置,要求按照设计精密地再现蒸镀掩模的贯通孔的位置或形状。
作为蒸镀掩模的制造方法,已知如下的方法:例如如专利文献1所公开的,通过使用了光刻技术的蚀刻,在金属板上形成贯通孔。例如,首先,通过曝光/显影处理在金属板的第1面上形成第1抗蚀剂图案,另外,通过曝光/显影处理在金属板的第2面上形成第2抗蚀剂图案。接下来,对金属板的第1面中的未被第1抗蚀剂图案覆盖的区域进行蚀刻,在金属板的第1面上形成第1开口部。然后,对金属板的第2面中的未被第2抗蚀剂图案覆盖的区域进行蚀刻,在金属板的第2面上形成第2开口部。此时,通过以使第1开口部和第2开口部互相连通的方式进行蚀刻,由此能够形成贯通金属板的贯通孔。用于制作蒸镀掩模的金属板例如可以通过对铁合金等母材进行轧制来获得。
作为其它的蒸镀掩模的制造方法,已知如下的方法:例如如专利文献2所公开的,利用镀覆处理来制造蒸镀掩模。例如在专利文献2所记载的方法中,首先,准备具有导电性的基材。接下来,通过曝光/显影处理,在基材上形成隔开规定的间隙配置的抗蚀剂图案。该抗蚀剂图案被设置于待形成蒸镀掩模的贯通孔的位置处。然后,将镀覆液供给至抗蚀剂图案的间隙中,通过电镀处理在基材上析出金属层。然后,使金属层从基材分离,由此能够得到形成有多个贯通孔的蒸镀掩模。
专利文献1:日本特许第5382259号公报
专利文献2:日本特开2001-234385号公报
在使用蒸镀掩模来使蒸镀材料在基板上成膜的情况下,蒸镀材料不仅附着于基板上,也附着于蒸镀掩模上。例如,在蒸镀材料中,也存在沿着相对于蒸镀掩模的法线方向大幅地倾斜的方向朝向基板的蒸镀材料,但这样的蒸镀材料在到达基板之前到达并附着于蒸镀掩模的贯通孔的壁面上。这种情况下,在基板中的位于蒸镀掩模的贯通孔的壁面附近的区域中,蒸镀材料难以附着,其结果是,可以想到:附着的蒸镀材料的厚度比其它部分小,或者产生未附着蒸镀材料的部分。即,可以认为,蒸镀掩模的贯通孔的壁面附近的蒸镀变得不稳定。因此,在为了形成有机EL显示装置的像素而使用了蒸镀掩模的情况下,像素的尺寸精度或位置精度低下,其结果是,有机EL显示装置的发光效率变得低下。
为了解决这样的课题,可以考虑减小用于制造蒸镀掩模的金属板的厚度。这是因为,通过减小金属板的厚度,能够减小蒸镀掩模的贯通孔的壁面的高度,由此,能够降低蒸镀材料中的附着于贯通孔的壁面上的蒸镀材料的比例。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大日本印刷株式会社,未经大日本印刷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810014059.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备