[实用新型]一种制备碳化硅单晶的装置

权利要求书

1.一种制备碳化硅单晶的装置，其特征在于，该装置包括加热装置、长晶炉(1)和坩埚(2)，所述加热装置包括双频电源(3)和加热部件(4)，所述双频电源(3)设置在所述长晶炉(1)的外部，所述加热部件(4)和所述坩埚(2)位于所述长晶炉(1)的内部，所述双频电源(3)与所述加热部件(4)电连接，所述加热部件(4)设置在所述坩埚(2)的外周。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述加热部件(4)为感应线圈。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述坩埚(2)为石墨材质。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述长晶炉(1)的内部还设置有保温材料(5)，所述保温材料(5)包裹在所述坩埚(2)的外表面上。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的装置，其特征在于，所述长晶炉(1)的内部还设置有籽晶杆(6)，所述籽晶杆(6)贯穿所述坩埚(2)的顶部。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述籽晶杆(6)设置为可旋转和可升降的。

7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述籽晶杆(6)的下端设置有籽晶台座(7)。

8.根据权利要求1-4中任意一项所述的装置，其特征在于，所述坩埚(2)的内部还设置有气体扩散器(8)。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述坩埚(2)上还设置有尾气出口(9)。