[发明专利]一种改善LED晶片研磨划伤的表面处理方法

说明书

本发明涉及一种改善LED晶片研磨划伤的表面处理方法。该方法包括：按润滑剂：去离子水＝1:5‑30的重量比配制研磨液，所述润滑剂为氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、碳酸氢钠或醋酸钠之一或组合；设置研磨液用量和铸铁盘转速，使研磨液均匀布满铸铁盘表面，然后放置修整环，再次开启铸铁盘转速和研磨液，对铸铁盘表面进行修复，修复完成后继续进行LED晶片减薄制程的研磨作业。本发明方法操作简单、成本较低、修复效率高、不反复，可有效解决研磨划伤异常，提高产品良率，保证正常生产。

技术领域

本发明涉及一种改善LED晶片研磨划伤的表面处理方法，属于LED芯片技术领域。

背景技术

在LED芯片制造过程中，关于晶片的减薄过程目前主要是通过铸铁盘、磨料以及修整装置来实现的。例如目前的红光LED芯片所用砷化镓晶片的减薄制程，通过圆形铸铁盘、天然石榴石磨料以及在铸铁盘表面放置起分散磨料作用的修整环完成，通过控制磨料的用量、铸铁盘的转速、研磨压力和转速可以调整晶片的减薄速率。

实际作业过程中，受铸铁盘和修整环的成型质量、材质以及磨料粒度、杂质的影响，经常会出现晶片表面划伤的现象，划伤的严重程度因不同情况而异，轻则在晶片表面造成细微浅划痕，这种浅划痕总体上不会对晶片后续制程和最终使用造成太大影响，但在一定程度上影响产品良率；划痕严重的情况下，晶片表面直接碎裂，划痕深且尖锐，直接导致晶片报废，对产品造成较大损失，这种情况一般发生在铸铁盘或修整环表面、边缘表面产生毛刺的情况下；而磨料粒度的影响、杂质一般不会造成破坏性较大的划痕，往往在晶片表面产生一条或数条轻微划痕，这种划痕对晶片本身影响并不大，但若因磨料内部混入硬度较高的颗粒物，在研磨过程中不但对晶片造成严重的划痕，而且导致铸铁盘表面产生损伤进而产生毛刺，进一步加重划痕的产生，且通过常规手段无法快速去除。归根结底，铸铁盘表面的质量是影响研磨质量的最主要因素。

目前尚无有效的措施和相关报道来防止产生表面划伤，往往在产生划伤后进行修复，但修复的方法也较为局限，主要通过增加重块并配合磨料进行修盘，其原理为通过增加摩擦力去除表面毛刺，有时因为修整环与铸铁盘之间的作用力较大反而加重划伤，甚至随修复时间的不断加长，导致铸铁盘表面平整度产生偏差而影响晶片的厚度均匀性，更为不可控的是，该种方式修盘易出现反复，直接影响生产效率，增加产品质量隐患。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种改善LED晶片研磨划伤的表面处理方法。

本发明方法是按现有技术使用铸铁盘、修整环、磨料对LED晶片减薄制程时出现晶片划伤的时候对铸铁盘表面产生的毛刺、损伤进行修复处理，避免对晶片背面产生轻微或严重的划痕，从源头上解决晶片划伤，改善LED晶片的质量。本发明是一种对LED晶片研磨铸铁盘表面的处理方法，修复后继续进行LED晶片减薄制程的研磨作业。

本发明的技术方案为：

一种改善LED晶片研磨划伤的表面处理方法，包括使用铸铁盘、修整环、研磨液，处理步骤包括：

(1)按润滑剂：去离子水＝1:5-30的重量比配制研磨液，所述润滑剂为氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、碳酸氢钠或醋酸钠之一或组合；

(2)当减薄制程出现LED晶片划伤时，启动铸铁盘旋转并使步骤(1)配制的研磨液流到铸铁盘表面并均匀布满铸铁盘表面，然后停止铸铁盘旋转和研磨液流入，将修整环放在铸铁盘上，再次开启铸铁盘旋转和研磨液流入进行铸铁盘的表面修复，修复时间30-120分钟。进一步的，还包括如下步骤：

(3)修复完毕后，将铸铁盘和修整环用去离子水刷洗干净并用无尘纸擦干；磨料桶刷洗干净，继续进行LED晶片减薄制程的研磨作业。

根据本发明优选的，步骤(1)中，所述去离子水电导率≤0.2μs/cm，所述电导率在25℃测得。进一步的，所述去离子水电导率0.1-0.2μs/cm，所述电导率在25℃测得。