[发明专利]一种改善LED晶片研磨划伤的表面处理方法

权利要求书

1.一种改善LED晶片研磨划伤的表面处理方法，包括使用铸铁盘、修整环、研磨液，处理步骤包括：

(1)按润滑剂：去离子水＝1:5-30的重量比配制研磨液，所述润滑剂为氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、碳酸氢钠或醋酸钠之一或组合；

(2)当减薄制程出现LED晶片划伤时，启动铸铁盘旋转并使步骤(1)配制的研磨液流到铸铁盘表面并均匀布满铸铁盘表面，然后停止铸铁盘旋转和研磨液流入，将修整环放在铸铁盘上，再次开启铸铁盘旋转和研磨液流入进行铸铁盘的表面修复，修复时间30-120分钟；

(3)修复完毕后，将铸铁盘和修整环用去离子水刷洗干净并用无尘纸擦干；磨料桶刷洗干净，继续进行LED晶片减薄制程的研磨作业。

2.根据权利要求1所述的一种改善LED晶片研磨划伤的表面处理方法，其特征在于，步骤(1)中，所述去离子水电导率≤0.2μs/cm；优选的，所述去离子水电导率0.1-0.2μs/cm；所述电导率在25℃测得。

3.根据权利要求1所述的一种改善LED晶片研磨划伤的表面处理方法，其特征在于，步骤(1)中，所述润滑剂与去离子水的重量比为1:10-20。

4.根据权利要求1所述的一种改善LED晶片研磨划伤的表面处理方法，其特征在于，步骤(1)中，将所述研磨液置于磨料桶中，开启搅拌功能，搅拌速率60-100转/分。

5.根据权利要求1所述的一种改善LED晶片研磨划伤的表面处理方法，其特征在于，骤(2)中，所述铸铁盘启动旋转前先用电导率≤0.2μs/cm的去离子水刷洗干净并用无尘纸擦干；优选的，所述去离子水电导率0.1-0.2μs/cm；所述电导率在25℃测得。

6.根据权利要求1所述的一种改善LED晶片研磨划伤的表面处理方法，其特征在于，步骤(2)中，所述铸铁盘转速为20-50转/分，所述研磨液流量为5-20mL/min。

7.根据权利要求1所述的一种改善LED晶片研磨划伤的表面处理方法，其特征在于，步骤(3)中，所述去离子水电导率≤0.2μs/cm，所述电导率在25℃测得；优选的，所述去离子水电导率0.1-0.2μs/cm；所述电导率在25℃测得。