[发明专利]薄膜结构的形成方法、声电换能器件及其形成方法

权利要求书

1.一种薄膜结构的形成方法，包括：

在衬底上沉积第一多晶硅层；

调节所述第一多晶硅层的应力至预定的第一范围；以及

在所述第一多晶硅层上沉积第二多晶硅层以使得第二多晶硅层具有与第一多晶硅层不同类型的应力；以及

调节所述第二多晶硅层的应力至预定的第二范围，以使得所述薄膜结构的整体应力在期望的范围中。

2.根据权利要求1所述的薄膜结构的形成方法，其特征在于，通过离子注入和/或退火来调节所述第一多晶硅层的应力。

3.根据权利要求2所述的薄膜结构的形成方法，其特征在于，调节所述第一多晶硅层的应力包括依次执行如下步骤：

进行离子注入；

进行再氧化；以及

进行第一次退火。

4.根据权利要求2所述的薄膜结构的形成方法，其特征在于，通过调节离子注入的能量、离子注入的掺杂量和/或退火温度来调节所述第一多晶硅层的应力。

5.根据权利要求1所述的薄膜结构的形成方法，其特征在于，所述第二多晶硅层的形成方法为：在带有掺杂源的环境下通过低压化学气相沉积沉积多晶硅。

6.根据权利要求3所述的薄膜结构的形成方法，其特征在于，通过第二次退火来调节所述第二多晶硅层的应力。

7.根据权利要求6所述的薄膜结构的形成方法，其特征在于，所述第二次退火为快速热退火。

8.根据权利要求1所述的薄膜结构的形成方法，其特征在于，所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层具有不同厚度。

9.根据权利要求1所述的薄膜结构的形成方法，其特征在于，采用不同的工艺类型沉积所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层，以使得所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层具有不同类型的应力；和/或

采用不同的工艺参数沉积所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层，以使得所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层具有不同类型的应力。

10.根据权利要求9所述的薄膜结构的形成方法，其特征在于，所述工艺参数包括沉积压力和沉积厚度。

11.根据权利要求1所述的薄膜结构的形成方法，其特征在，所述方法还包括：

在所述第二多晶硅层上再顺序沉积至少一个多晶硅层，并在每一层多晶硅层沉积完成后调节该多晶硅层的应力。

12.根据权利要求1所述的薄膜结构的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：

在调节所述第二多晶硅层的应力前，在所述第二多晶硅层上沉积氧化物层。

13.根据权利要求12所述的薄膜结构的形成方法，其特征在于，所述氧化物层以正硅酸乙酯作为硅前体沉积形成。

14.根据权利要求1所述的薄膜结构的形成方法，其特征在于，所述薄膜结构用于形成声电换能器件的振膜。

15.一种声电换能器件的形成方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一面和第二面；

在所述半导体衬底的第一面上沉积第一牺牲层；

根据权利要求1-14中任一项所述的方法在所述第一牺牲层上形成薄膜结构；

在所述薄膜结构上依次沉积第二牺牲层和图案化的背板电极层以获得电容结构；

刻蚀所述半导体衬底的第二面，形成背腔；以及

刻蚀去除至少部分第一牺牲层和第二牺牲层以形成容纳振膜的空腔。