[发明专利]复合材料和QLED器件在审
| 申请号： | 201711468934.8 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109994618A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王雄志;向超宇;李乐;张滔;辛征航;李雪 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 空穴 量子点 阳极 磁性材料 功能材料 复合材料 发光层 功能层 载流子 空穴传输材料 空穴注入材料 阴极 空穴迁移率 层叠设置 发光效率 注入平衡 | ||
1.一种QLED器件，包括层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，其特征在于，所述阳极和所述量子点发光层之间设置有空穴功能层，所述空穴功能层含有空穴功能材料和磁性材料；其中，所述空穴功能材料为空穴注入材料或空穴传输材料。
2.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述磁性材料包括导电磁性材料和/或绝缘磁性材料。
3.如权利要求2所述的QLED器件，其特征在于，所述导电磁性材料选自铁单质、铁合金、铁氧化物、钴单质、钴合金、钴氧化物、镍单质、镍合金和镍氧化物中的至少一种；或
所述绝缘磁性材料选自铁氧体和磁性橡胶中的至少一种。
4.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述磁性材料分散在所述空穴功能材料中。
5.如权利要求4所述的QLED器件，其特征在于，所述磁性材料的粒径为8-15nm。
6.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴功能材料为纳米颗粒，所述磁性材料包覆在所述空穴功能材料表面，形成内核为空穴功能材料，壳层为磁性材料的核壳结构。
7.如权利要求6所述的QLED器件，其特征在于，所述壳层的厚度为1-12nm。
8.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴功能层的厚度为20-40nm；和/或
所述磁性材料的饱和磁化强度大于80emu/g；和/或
所述空穴功能层中的磁性材料的体积分数为0.5-30％。
9.如权利要求1-8任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述阴极和所述量子点发光层之间还设置有电子功能层，所述电子功能层含有电子功能材料和磁性材料；其中，所述电子功能材料为电子注入材料或电子传输材料。
10.如权利要求9所述的QLED器件，其特征在于，所述电子功能层的厚度为20-40nm；和/或
所述电子功能层中的磁性材料的体积分数为0.5-30％。
11.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料由空穴功能材料和磁性材料组成；其中，所述空穴功能材料为空穴注入材料或空穴传输材料。
12.如权利要求11所述的复合材料，其特征在于，所述空穴功能材料和所述磁性材料均为纳米颗粒，且所述磁性材料分散在所述空穴功能材料中；或
所述空穴功能材料为纳米颗粒，且所述磁性材料包覆在所述空穴功能材料表面形成壳层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
