[发明专利]低压总线信号锁存器

权利要求书

1.低压总线信号锁存器电路，其特征在于，包括晶体管P1、晶体管N1、晶体管P2、晶体管N2和二极管D1；

所述晶体管P1的栅极与N1的栅极连接，并作为锁存器电路的数据输入端，P1的漏极与N1的漏极连接，并作为锁存器电路的数据输出端；P1的源极与电源连接，N1的源极接地；

所述晶体管P2的栅极、N2的栅极与数据输出端连接，P2的源极与电源连接，N2的源极接地，P2的漏极通过二极管D1与N2的漏极、数据输入端连接。

2.如权利要求1所述低压总线信号锁存器电路，其特征在于，所述晶体管P1、P2为PMOS晶体管，所述晶体管N1、N2为NMOS型晶体管。

3.如权利要求1所述低压总线信号锁存器电路，其特征在于，所述二极管为肖特基二极管。

4.如权利要求1或4所述低压总线信号锁存器电路，其特征在于，所述二极管的阳极与P2的漏极连接，阴极与数据输入端连接。

5.如权利要求1所述低压总线信号锁存器电路，其特征在于，所述晶体管P1与N1构成第一反相器，所述晶体管P2与N2构成第二反相器。

6.如权利要求1所述低压总线信号锁存器电路，其特征在于，所述晶体管P1、晶体管N1、晶体管P2、晶体管N2为低阈值器件，低阈值器件的阈值电压为0.2V～0.4V。

7.低压总线信号锁存器电路的锁存方法，其特征在于，包括以下步骤：

信号从数据输入端输入，先由第一反相器将其反转180度，然后再经过第二反相器继续反转180度；其中高电平经P2管和肖特基二极管反馈回数据输入端，低电平经N2管反馈回数据输入端；

信号反转360度之后反馈给数据输入端，使两个反相器的反馈结果构成一个信号锁存器。

8.如权利要求7所述的低压总线信号锁存器电路的锁存方法，其特征在于：

信号由高变低时，晶体管N2开启下拉锁定；

信号由低变高时，P2、D1开启起上拉锁定。

9.如权利要求7所述的低压总线信号锁存器电路的锁存方法，其特征在于用于低电压条件，即电压范围为1.2V～1.8V。

10.如权利要求7所述的低压总线信号锁存器电路的锁存方法，其特征在于，当从数据输入端输入的信号不发生变化时，数据输出端持续保存最后输入状态。