[发明专利]一种用于电子显示器的micro LED总成在审
申请号: | 201711286211.6 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN108054181A | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 何莉莉 | 申请(专利权)人: | 何莉莉 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/60;H01L33/62;H01L33/64 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 靳浩 |
地址: | 530031 广西壮族自*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 电子 显示器 micro led 总成 | ||
本发明公开了一种用于电子显示器的micro LED总成,包括有垒晶层的第一基板、第二基板;第一基板垒晶层包括P层、N层及发光层,第一基板的垒晶层包括5个微型P‑N芯片结构,成十字排列,5个微型P‑N芯片结构之间暴露的侧边覆盖有绝缘层,第一基板表面设置有多层独立的金属反射层;第二基板与第一基之间通过粘合层固定。提高了LED封装、应用效率,降低了LED电子显示器的生产成本,简化了LED电子显示器的组装工艺,并且进一步提高了生产良率。
技术领域
本发明涉及一种micro LED总成。更具体地说,本发明涉及一种用于电子显示器的micro LED总成。
背景技术
电子显示器一般情况下由设置于基板上的LED作为光发射源构成,除了等离子电视,其他显示器一般由下列几种光发射源构成:带彩色滤光器液晶光源、有机彩色光光源、带彩色滤光器的有机白色光光源等,上述光源的电子显示器均采用区域光源发射技术。LED早期运用于一些简单单色显示器,如计算器等,目前LED随工艺技术迅猛提高,已经被广泛运用于LED各类电子显示器,而应用最多的是随身携带的电子设备如手机,而在手机等小型电子显示器上应用最为广泛,同时对显示要求也最为严格。为提高显示品质,更多的在LED芯片选取上做了大量的工作。
LED是通过在高密质、高熔点的衬底上进行高温垒晶而成(把所需的元素、分子利用MOCVD物理气象沉积法沉积于衬底上制备而成)完成垒晶后的外延片经芯片制程工艺,切割成无数个LED芯片,经封装技术,再进入显示器的制备流程。
对高品质LED电子显示器,要求用于该显示器的LED芯片亮度高、色度一致性佳,具备专业的光学设计,在10%-95%湿度、-25℃-55℃温度环境中无任何电性、光性问题;并且需要保持发光视角的高度一致性,抗ESD性能G\B芯片可达500V以上,R可达1000V以上,常温老化亮度不高于10%,红、蓝、绿三种芯片保持一致性。
发明内容
本发明的一个目的是在不增加成本,包括人力、物力成本的同时,提高LED芯片运用于电子显示器中的整体亮度,在同样面积的外延结构下,把LED芯片的亮度尽量提高到接近理论值。
本发明的另一个目的是提供了一种全新的LED芯片排列组合方式,使LED芯片在提高亮度的同时,简化用于电子显示器的micro LED总成的工艺,提高LED封装、应用的工作效率,降低生产成本,提高了生产良率。
本发明再一个目的是使本发明的micro LED芯片在用于电子显示器时在工作状态下加快micro LED芯片的热量转移,从而整体提高电子显示器的使用寿命。
为了实现根据本发明的目的和其它优点,提供了一种用于电子显示器的microLED总成,其包括:有垒晶层的第一基板及通过粘合层把第一基板粘合于之上的第二基板:
每个第一基板的垒晶层包括P层、N层及发光层,每个第一基板的垒晶层蚀刻成5个微型P-N芯片结构,成十字排列,按顺时针方向分别为A\B\C\D中间为E,A\B的N与E的P相邻,C\D的N相邻于E的边,与E的P不相邻,5个微型P-N芯片结构之间暴露的侧边覆盖有绝缘层,第一基板表面设置有多层独立的金属反射层。第二基板表面无第一基板的空白间隙处涂覆有绝缘反光层。
本发明所述的用于电子显示器的micro LED总成,其中所述的第二基板上的第一基板工作状态下发三中光色,分别为红色、蓝色、绿色,每个第一基板工作状态下仅发一种色光。
本发明所述的用于电子显示器的micro LED总成,其中所述第二基板上每三个第一基板为一组对应一个像素,每组第一基板包括X\Y\Z三个第一基板,X\Y\Z三个第一基板工作状态下发不同颜色的光色,分别红色、蓝色、绿色三种色光中的一种,每组第一基板对应三个子像素,分别为第一子像素、第二子像素、第三子像素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的