[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201711283901.6 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN108183120B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 田昌和;金钟成;金豪镇;柳在亨;白承旼 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;G06F3/041;G06F3/044 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种集成有触摸屏的显示装置,该显示装置包括:
第一基板;
在所述第一基板上的第一电极;
在所述第一电极上的有机发光层;
在所述有机发光层上的第二电极;以及
在所述第二电极上的封装膜,
其中,所述封装膜包括具有第一触摸电极、第二触摸电极和第一绝缘膜的触摸感测层,
所述第一触摸电极、所述第二触摸电极和所述第一绝缘膜被设置在同一平面,并且
所述第一绝缘膜被设置在所述第一触摸电极和所述第二触摸电极之间,
其中,所述第一绝缘膜不与所述第一触摸电极和所述第二触摸电极交叠,
其中,所述第一触摸电极和所述第二触摸电极由金属氧化物形成,并且所述第一绝缘膜由金属过氧化物形成,或者
其中,所述第一触摸电极、所述第二触摸电极和所述第一绝缘膜由氧化镓Ga2O3和氧化锌ZnO的混合物形成或者由氧化镓Ga2O3和氧化铟In2O3的混合物形成,并且所述第一触摸电极、所述第二触摸电极和所述第一绝缘膜的混合物的组成比例不同。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一触摸电极的上表面、所述第二触摸电极的上表面和所述第一绝缘膜的上表面是平坦的。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,设置在同一平面的所述第一触摸电极、所述第二触摸电极和所述第一绝缘膜当中的所述第一绝缘膜通过离子注入工艺变为非导体。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,设置在同一平面的所述第一触摸电极、所述第二触摸电极和所述第一绝缘膜当中的所述第一触摸电极和所述第二触摸电极通过离子注入工艺变为导体。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述封装膜还包括:
设置在所述第二电极和所述触摸感测层之间的第一无机膜;以及
设置在所述第一无机膜和所述触摸感测层之间的有机膜。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述封装膜还包括在所述触摸感测层上的第二无机膜。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述触摸感测层还包括触摸感测子层,该触摸感测子层具有用于将彼此相邻的所述第一触摸电极电连接的桥电极。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述触摸感测层还包括设置在彼此相邻的所述桥电极之间的第二绝缘膜。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述第二绝缘膜被设置在所述第二触摸电极和所述桥电极之间。
10.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述桥电极和所述第二绝缘膜被设置在同一平面。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述桥电极的上表面和所述第二绝缘膜的上表面是平坦的。
12.根据权利要求8或10所述的显示装置,其中,设置在同一平面的所述桥电极和所述第二绝缘膜当中的所述第二绝缘膜通过离子注入工艺变为非导体。
13.根据权利要求8或10所述的显示装置,其中,设置在同一平面的所述桥电极和所述第二绝缘膜当中的所述桥电极通过离子注入工艺变为导体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的