[发明专利]有机发光二极管显示装置

说明书

一种有机发光二极管显示装置包括钝化层、第一电极、像素限定层、有机发光层以及第二电极。该钝化层包括沟槽和凹陷部分。第一电极位于钝化层上。像素限定层位于钝化层上并且限定用于暴露第一电极的至少一部分的开口。有机发光层位于第一电极上。第二电极位于有机发光层上。凹陷部分与开口重叠并且与开口的边缘间隔开。沟槽与第一电极间隔开。

相关申请的交叉引用

2016年12月7日提交的名称为“有机发光二极管显示装置及其制造方法”的韩国专利申请第10-2016-0165785号通过引用整体合并于此。

技术领域

本文描述的一个或多个实施例涉及有机发光二极管显示装置和用于制造这种显示装置的方法。

背景技术

有机发光二极管显示装置具有低功耗、高亮度和高反应速度。这种显示装置具有带有多层结构的像素，该多层结构包括有机发光二极管。但是，这种结构可能产生可能降低显示质量的色偏。

发明内容

根据一个或多个实施例，一种有机发光二极管显示装置包括基板；位于基板上并且包括沟槽和凹陷部分的钝化层；位于钝化层上的第一电极；位于钝化层上的像素限定层，该像素限定层限定用于暴露第一电极的至少一部分的开口；位于第一电极上的有机发光层；以及位于有机发光层上的第二电极，其中凹陷部分与开口重叠且与开口的边缘间隔开，并且其中沟槽与第一电极间隔开。

沟槽可以围绕第一电极的至少一部分。沟槽可以包括相互间隔开并且部分地围绕第一电极的多个凹陷图案。沟槽可以与第一电极间隔开范围从约1μm至约5μm的距离。沟槽可以具有范围从约1.0μm至约3.0μm的宽度。沟槽可以具有范围从约0.2μm至约1.0μm的深度。

在钝化层与像素限定层重叠的边界处，钝化层相对于基板的表面可以具有基本上相同的高度。在钝化层与像素限定层重叠的边界处，钝化层相对于基板的表面可以具有约0.1μm或者更少的高度差。开口的边缘相对于基板的表面可以具有基本上相同的高度。开口的边缘相对于基板的表面可以具有约0.1μm或者更少的高度差。

凹陷部分可以与开口的边缘间隔开范围从约0.5μm至约5.0μm的距离。凹陷部分的边缘的至少一部分可以平行于开口的边缘。凹陷部分可以具有范围从约1.0μm至约2.0μm的宽度。凹陷部分可以具有范围从约0.3μm至约0.7μm的深度。

钝化层可以包括多个凹陷部分。多个凹陷部分中的每个可以具有线形平面形状。多个凹陷部分可以相互平行。凹陷部分可以以径向方式来布置。多个凹陷部分可以具有不同的深度。

显示装置可以包括位于基板与钝化层之间的薄膜晶体管；以及连接至薄膜晶体管的一条或多条布线，其中多个凹陷部分中的至少一个与一条或多条布线重叠，并且其中与一条或多条布线重叠的凹陷部分具有比不与一条或多条布线重的凹陷部分的深度小的深度。一条或多条布线可以包括数据线、驱动电压线以及电容器。显示装置可以包括位于像素限定层上的间隔件。

根据一个或多个其他实施例，一种用于制造有机发光二极管显示装置的方法包括：通过在基板上涂敷感光材料层来形成感光材料层；对感光材料层进行图案化以形成包括沟槽和凹陷部分的钝化层；在钝化层上形成第一电极；在钝化层上形成像素限定层，该像素限定层限定用于暴露第一电极的至少一部分的开口；在第一电极上形成发光层；以及在发光层上形成第二电极，其中凹陷部分与开口重叠且与开口的边缘间隔开，并且其中沟槽与第一电极间隔开。

形成钝化层可以包括在对感光材料层进行图案化之后热固化图案化的感光材料层。凹陷部分和沟槽可以以相同的工艺来限定。第一电极可以与沟槽间隔开范围从约1μm至约5μm的距离。在钝化层与像素限定层重叠的边界处，钝化层相对于基板的表面可以具有基本上相同的高度。

附图说明

通过参考附图详细地描述示例性实施例，各特征对于本领域技术人员来说将变得明显，在附图中：