[发明专利]制造晶片级半导体封装的方法

权利要求书

1.一种制造半导体封装的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体晶片，所述半导体晶片包括位于所述晶片的第一侧上的多个接合焊盘；

用介电质材料覆盖所述晶片的第一侧以在接合焊盘上方形成介电层；

去除所述介电层与接合焊盘的位置相对应的部分以形成多个井，其中每个井被配置为在介电层的顶面与底面之间形成通孔以露出每个接合焊盘；

将导电材料沉积于所述井中以在所述接合焊盘与所述介电层的顶面之间形成导电层；之后切割所述半导体晶片以形成多个半导体封装。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括步骤：在所述半导体晶片的第一侧上切割出沟槽，其中用介电质材料覆盖所述晶片的第一侧的步骤进一步包括用所述介电材料填充所述沟槽。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述切割半导体晶片的步骤进一步包括以下步骤：沿着沟槽将所述半导体封装分隔开。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述介电材料包括环氧模制化合物或旋涂材料。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在切割所述半导体晶片之前，将所述半导体晶片的与第一侧相对的第二侧研磨至足以露出填充在每个沟槽中的介电材料的底部的水平。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，切割所述半导体晶片的切割宽度小于沟槽的宽度，使得介电材料粘附于已经被分隔开的所述半导体封装的侧壁上。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除部分介电层包括选自由钻孔、蚀刻和光致成像显影工艺所组成的组的去除工艺。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述井之后，还包括步骤：在形成所述导电层之前，在所述介电材料的整个表面和接合焊盘上形成金属种子层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述金属种子层包括由物理蒸镀或化学镀形成的薄层，并且其中所述薄层包括由铜、镍和钛组成的组中的金属。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述将导电材料沉积于井中的步骤包括将所述导电材料沉积于包括所述井的介电材料的整个表面的上方，之后，从所述介电材料中选择性地去除所述导电材料，使得仅保留部分沉积于井中的导电材料。

11.根据权利要求8所述的方法其特征在于，进一步包括步骤：用光致抗蚀层覆盖位于所述井外侧的所述介电材料的表面，之后，将更薄的金属层电镀于包括在所述井中的金属种子层的表面上。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述更薄的金属层覆盖所述接合焊盘和所述井的侧壁以及位于所述井外侧的介电材料的表面的小区域。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述将导电材料沉积于井中的步骤包括步骤：将金属触点附接于电镀有更薄的金属层的区域。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述金属触点包括焊球。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括步骤：在所述接合焊盘上方形成所述介电材料之前，研磨所述半导体晶片的与所述第一侧相对的第二侧。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，进一步包括步骤：在所述接合焊盘上方形成所述介电层之前，用背衬模制化合物模制所述半导体晶片的第二侧。