[发明专利]锌掺杂氧化镍空穴传输层反置钙钛矿太阳能电池及制备方法在审
申请号: | 201711156113.0 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN108063186A | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 万兴兴;曹丙强 | 申请(专利权)人: | 济南大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 李桂存 |
地址: | 250022 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺杂 氧化 空穴 传输 层反置钙钛矿 太阳能电池 制备 方法 | ||
本发明属于钙钛矿太阳能电池制备技术领域,特别涉及一种锌掺杂氧化镍空穴传输层反置钙钛矿太阳能电池及其制备方法。反置钙钛矿太阳能电池为:(1)、FTO玻璃;(2)、制备锌掺杂氧化镍空穴传输层;(3)、制备钙钛矿体异质结薄膜;(4)、在钙钛矿层上制备电子传输层;(5)、电极修饰层;(6)、金属电极。本发明采用全新的空穴传输层,通过掺杂锌优化氧化镍薄膜得到高透光率,高电导率,高功函与钙钛矿匹配良好的空穴提取层,其性能优化、结构稳定。
技术领域
本发明属于钙钛矿太阳能电池制备的技术领域,特别涉及一种锌掺杂氧化镍空穴传输层高效钙钛矿太阳能电池及制备方法。
背景技术
钙钛矿太阳能电池自2009年第一次报道以来,能量转换效率日新月异,由最初的3.8%提升到了22.1%。钙钛矿太阳能电池的横空出世为太阳能电池的发展带来了新希望。钙钛矿吸光层两侧分别是电子传输层和空穴传输层,其中空穴传输层提取空穴的能力直接决定着太阳能电池的光电转换效率,可见空穴传输层的重要性不言而喻。
目前大多数高光电转换效率的太阳能电池所使用的空穴传输层为有机空穴传输层(如PEDOT:PSS、PTAA、spiro-OMeTAD等),但是有机空穴传输材料制备工艺复杂,价格昂贵,并不满足大规模生产的要求。因此,找到替代有机空穴传输层的无机材料至关重要。
氧化镍是一种宽禁带p型半导体材料,禁带宽度为3.6 eV,与钙钛矿能级匹配,并且在可见光范围内具有高透光度,适合用于钙钛矿太阳能电池等光电子器件中,但其较低的电导率一直是该空穴传输层的劣势所在,而掺杂可最大限度的改变这一现状。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现存的技术不足,提供了一种利用廉价新材料(氧化镍)制备的锌掺杂氧化镍空穴传输层高效钙钛矿太阳能电池,改善了电池串联电阻,通过提高空穴提取效率从而优化电池性能,为开发廉价高效的钙钛矿太阳能电池提供了一种新思路。
本发明还提供了上述太阳能电池的制备方法。
为了克服已经存在的技术不足,本发明的技术方案为:
本发明公开了一种锌掺杂氧化镍空穴传输层反置高效钙钛矿太阳能电池,其特征在于采用以下制备方法制成:(1)、以FTO玻璃作为窗口层进行部分刻蚀;(2)、制备锌掺杂氧化镍空穴传输层;(3)、制备钙钛矿体异质结薄膜;(4)、在钙钛矿层上制备电子传输层;(5)、在电子传输层上制备电极修饰层;(6)、在电极修饰层上制备金属电极,从而获得太阳能电池;
所述锌掺杂氧化镍空穴传输层是采用以下方法制成:将硝酸锌与硝酸镍按比例混合于乙二胺和乙二醇的混合溶剂中,制成混合前驱液,然后置于磁力搅拌器上搅拌十二个小时,过滤后得到澄清液,然后旋涂澄清液40s于氟掺杂氧化锡玻璃(FTO玻璃)基板,最后把所得基板放到快速退火炉里400℃退火3600s,得到锌掺杂氧化镍空穴传输层。
上述的反置钙钛矿太阳能电池,优选的:所述硝酸锌与硝酸镍的摩尔比为3-7:97-93,乙二胺和乙二醇的体积比为1:10,硝酸锌与硝酸镍在混合溶剂中的浓度为1M。
上述的反置钙钛矿太阳能电池,优选的:所述FTO玻璃的厚度为300nm;锌掺杂氧化镍空穴传输层的厚度为30nm;钙钛矿体异质结薄膜的厚度为250nm;电子传输层的厚度为30nm;电极修饰层的厚度为10nm;金属电极的厚度为60nm。
本发明还公开了一种权利要求1所述的锌掺杂氧化镍空穴传输层反置钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于采用以下步骤:
(1)将FTO透明导电玻璃切成1.6cm的长条,接着贴上1cm宽的胶带,然后用锌粉和浓盐酸与水体积比为1:5的稀盐酸刻蚀15分钟,用稀盐酸清洗残余的锌粉,把刻蚀好的玻璃切成1.6×1.7cm长方形,用碱液超声清洗30-60 min,再用酒精超声清洗30-60 min,最后用去离子水超声清洗10-30 min,放入烘干箱干燥以备用;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择