[发明专利]熔断结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201711125831.1 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109786364A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 管斌;王昆 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 侯莉;毛立群 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 熔断 连接区 熔断丝 刻蚀金属层 光阻层 介质层表面 金属层表面 刻蚀介质层 衬底表面 厚度相等 刻蚀产物 介质层 金属层 两端部 漏电流 刻蚀 掩膜 去除 清洗 | ||
1.一种熔断结构，其特征在于，包括：
衬底，以及位于所述衬底上方的介质层；和
熔断丝，所述熔断丝位于所述介质层表面，所述熔断丝包括位于其两端部的连接区以及位于所述连接区之间并与所述连接区相连的熔断区，所述熔断区与所述连接区的厚度相等。
2.根据权利要求1所述的熔断结构，其特征在于，所述熔断丝的材料为Al。
3.根据权利要求1所述的熔断结构，其特征在于，所述介质层的材料为TaN。
4.根据权利要求1所述的熔断结构，其特征在于，所述连接区与所述熔断区的上表面平齐。
5.根据权利要求1所述的熔断结构，其特征在于，所述熔断区的厚度尺寸范围为0.3μm～1μm。
6.根据权利要求4所述的熔断结构，其特征在于，所述熔断区的厚度尺寸为0.5μm。
7.根据权利要求1所述的熔断结构，其特征在于，还包括：多个导电插塞，每个所述导电插塞贯穿所述介质层与所述衬底，且每个所述导电插塞与一个所述连接区下表面电连接。
8.根据权利要求1所述的熔断结构，其特征在于，还包括：缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底与所述介质层之间，且所述导电插塞贯穿所述缓冲层。
9.一种熔断结构的形成方法，其特征在于，包括：
在衬底表面形成介质层；
在所述介质层表面形成金属层，在所述金属层表面形成第二光阻层；和
以所述第二光阻层为掩膜刻蚀所述金属层，以形成熔断丝，所述熔断丝包括位于其两端部的连接区以及位于所述连接区之间并与所述连接区相连的熔断区，所述连接区与所述熔断区的厚度相等。
10.根据权利要求9所述的熔断结构的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为Al。
11.根据权利要求9所述的熔断结构的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料为TaN。
12.根据权利要求9所述的熔断结构的形成方法，其特征在于，所述连接区与所述熔断区的上表面平齐。
13.根据权利要求9所述的熔断结构的形成方法，其特征在于，所述熔断区的厚度尺寸范围为0.3μm～1μm。
14.根据权利要求13所述的熔断结构的形成方法，其特征在于，所述熔断区的厚度为0.5μm。
15.根据权利要求9所述的熔断结构的形成方法，其特征在于，在形成所述金属层之前，还包括：
在所述介质层表面形成第一光阻层；
以所述第一光阻层为掩膜刻蚀所述介质层和所述衬底，以形成多个插塞孔；和
形成填充所述插塞孔的所述导电插塞。
16.根据权利要求15所述的熔断结构的形成方法，其特征在于，每个所述导电插塞与一个所述连接区的下表面电连接。
17.根据权利要求9所述的熔断结构的形成方法，其特征在于，在形成所述介质层之前，还包括：在所述衬底的表面形成缓冲层。
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