[发明专利]具有多个低功率状态的存储器装置及其功率状态控制方法在审
申请号: | 201711045809.6 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN108008805A | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 崔娟圭;吴起硕;申丞濬;金惠兰 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F1/32 | 分类号: | G06F1/32 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 刘培培;黄隶凡 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 多个低 功率 状态 存储器 装置 及其 控制 方法 | ||
本发明提供一种控制多个低功率状态的方法和存储器装置。所述方法包含:进入低功率模式状态,其中响应于低功率状态进入命令刷新存储器装置的存储器单元行并且功率消耗低于在自身刷新模式状态中的功率消耗;以及基于在存储器装置的模式寄存器中设置的低功率模式退出时延时间,或警报信号和低功率模式退出命令中的至少一个,退出所述低功率模式状态。通过使用多个低功率状态,可最大化节省存储器装置的功率消耗。
相关申请的交叉参考
本申请主张2016年11月1日在韩国知识产权局申请的第10-2016-0144483号韩国专利申请的优先权,所述专利申请的揭露内容以引用的方式全文并入本文中。
技术领域
根据本发明概念的示例性实施例的方法和设备涉及一种存储器装置,且更确切地说涉及一种通过使用多个低功率状态而最大化功率节省的存储器装置。
背景技术
动态随机存取存储器(dynamic random access memory,DRAM)用作计算装置或移动装置中的工作存储器。工作存储器提供用于待由系统处理器存取和执行的数据和程序(或代码)的临时存储地点。例如DRAM的易失性存储器装置执行刷新操作以保持存储在其中的数据位。
DRAM的刷新操作受存储器控制器控制。存储器控制器通过发布刷新命令,循环地存取DRAM的数据位。此外,DRAM具有用于减少功率消耗的自身刷新模式。自身刷新模式允许刷新操作通过使用内部计数器而自动执行,并且因此引起低功率消耗。当DRAM未被存取达较长时间时,响应于自身刷新进入命令(self-refresh entry command,SRE)和自身刷新退出命令(self-refresh exit command,SRX)通过存储器控制器执行自身刷新模式。
如果即使保持存储在DRAM中的数据位与自身刷新模式相比功率消耗可以进一步减少,那么包含DRAM的移动装置将呈现更好的性能。
发明内容
本发明概念的示例性实施例提供控制具有多个低功率状态的存储器装置的功率状态的方法。
本发明概念的示例性实施例还提供具有多个低功率状态的上述存储器装置。
根据示例性实施例,提供控制存储器装置的功率状态的方法,所述方法包含:响应于低功率状态进入命令进入低功率模式状态,其中存储器装置的存储器单元行被刷新并且功率消耗低于在自身刷新模式状态中的功率消耗;以及基于在存储器装置的模式寄存器中设置的低功率模式退出时延时间,自动退出低功率模式状态。
根据示例性实施例,提供控制存储器装置的功率状态的方法,所述方法包含:响应于低功率状态进入命令进入低功率模式状态,其中存储器单元行被刷新并且功率消耗低于在自身刷新模式状态中的功率消耗;以及接收指示从低功率模式状态中退出的警报信号和低功率模式退出命令中的至少一个,其中低功率模式退出命令是在低功率模式退出时延时间过去之后接收的,其中低功率模式退出时延时间是在存储器装置自动退出低功率模式状态之后的时间期间,并且其中低功率模式退出时延时间是在存储器装置的模式寄存器中设置的。
根据示例性实施例,提供控制存储器装置的功率状态的方法,所述方法包含:响应于低功率状态进入命令进入低功率模式状态,其中存储器单元行被刷新并且功率消耗低于在自身刷新模式状态中的功率消耗;接收指示从低功率模式状态转变到自身刷新模式状态的触发信号;以及响应于触发信号在自身刷新模式状态中操作。
根据示例性实施例,提供存储器装置,所述存储器装置包含:存储器单元阵列,其包括存储器单元行;以及控制逻辑,其经配置以控制自身刷新模式状态和第一低功率模式状态,在所述自身刷新模式状态中刷新存储器单元行,在所述第一低功率模式状态中的功率消耗低于在自身刷新模式状态中的功率消耗,其中响应于第一低功率状态进入命令,控制逻辑控制进入到第一低功率模式状态中,并且基于在存储器装置的模式寄存器中设置的第一低功率模式退出时延时间,控制从第一低功率模式状态中退出。
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