[发明专利]一种功能层开孔的方法、阵列基板以及显示装置有效
申请号: | 201711029246.1 | 申请日: | 2017-10-25 |
公开(公告)号: | CN107818945B | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 李唐求;赵瑜 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 44280 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 何倚雯 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功能 层开孔 方法 阵列 以及 显示装置 | ||
本发明公开了一种功能层开孔的方法、阵列基板以及显示装置,该方法包括:S1,在功能层上涂布光阻层;S2,在光阻层上至少形成一类贯穿区;其中,贯穿区为光阻层上暴露功能层的区域;S3,对功能层进行刻蚀,以在对应贯穿区的功能层上形成过孔;S4,在光阻层上形成新一类的贯穿区;S5,对功能层进行刻蚀,以在对应新一类的贯穿区的功能层上形成新的过孔,并使在本次刻蚀之前形成的过孔的深度增大;至少执行一次上述S4‑S5,以形成深度不同的至少两个过孔。通过上述方式,本发明能够在只使用一道光阻的情况下,对功能层进行多次刻蚀工艺,以形成深度不同的多个过孔,节省了工艺流程,提高了生产效率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种功能层开孔的方法、阵列基板以及显示装置。
背景技术
现有的显示面板包括多个功能层结构,其中,功能层一般可以包括金属层、半导体层、有机层和无机层等,例如SiOx或SiNx制作形成的绝缘层。
在显示面板的制造中,一般会在这些功能层上开孔(hole)以实现功能层、电极或导线之间的连接。在实际操作中,在某层的hole制作中,可能存在几种不同深度的hole制作,因深度不同需要不同的Pattern(图案)制作工艺,制造流程较为复杂。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种功能层开孔的方法、阵列基板以及显示装置,能够在只使用一道光阻的情况下,对功能层进行多次刻蚀工艺,以形成深度不同的多个过孔,节省了工艺流程,提高了生产效率。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种功能层开孔的方法,该方法包括:S1,在功能层上涂布光阻层;S2,在光阻层上至少形成一类贯穿区;其中,贯穿区为光阻层上暴露功能层的区域;S3,对功能层进行刻蚀,以在对应贯穿区的功能层上形成过孔;S4,在光阻层上形成新一类的贯穿区;S5,对功能层进行刻蚀,以在对应新一类的贯穿区的功能层上形成新的过孔,并使在本次刻蚀之前形成的过孔的深度增大;至少执行一次上述S4-S5,以形成深度不同的至少两个过孔。
为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种阵列基板,该阵列基板包括绝缘层,绝缘层上包括至少两个深度不同的过孔,其中,至少两个深度不同的过孔是采用如上的方法制作得到的。
为解决上述技术问题,本发明采用的又一个技术方案是:提供一种显示装置,该显示装置包括阵列基板,该阵列基板是如上的阵列基板。
本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况,本发明的功能层开孔的方法包括:S1,在功能层上涂布光阻层;S2,在光阻层上至少形成一类贯穿区;其中,贯穿区为光阻层上暴露功能层的区域;S3,对功能层进行刻蚀,以在对应贯穿区的功能层上形成过孔;S4,在光阻层上形成新一类的贯穿区;S5,对功能层进行刻蚀,以在对应新一类的贯穿区的功能层上形成新的过孔,并使在本次刻蚀之前形成的过孔的深度增大;至少执行一次上述S4-S5,以形成深度不同的至少两个过孔。通过上述方式,能够在只使用一道光阻的情况下,对功能层进行多次刻蚀工艺,以形成深度不同的多个过孔,节省了工艺流程,提高了生产效率。
附图说明
图1是本发明公开的功能层开孔的方法一实施例的流程示意图;
图2是本发明公开的功能层开孔的方法另一实施例的流程示意图;
图3-图8是本发明公开的功能层开孔的方法另一实施例的工艺流程示意图;
图9是本发明公开的功能层开孔的方法又一实施例的流程示意图;
图10-图15是本发明公开的功能层开孔的方法又一实施例的工艺流程示意图;
图16是本发明提供的阵列基板一实施例的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造