[发明专利]一种功能层开孔的方法、阵列基板以及显示装置有效
申请号: | 201711029246.1 | 申请日: | 2017-10-25 |
公开(公告)号: | CN107818945B | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 李唐求;赵瑜 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 44280 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 何倚雯 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功能 层开孔 方法 阵列 以及 显示装置 | ||
1.一种功能层开孔的方法,其特征在于,包括:
在所述功能层上涂布光阻层;
在所述光阻层上至少形成一类贯穿区;其中,所述贯穿区为所述光阻层上暴露所述功能层的区域;其中,所述在所述光阻层上至少形成一类贯穿区,包括:采用第一张光罩在所述光阻层上经过曝光显影形成第一贯穿区;其中,所述第一张光罩包括第一透光孔,所述第一透光孔对应所述第一贯穿区;
对所述功能层进行第一次刻蚀,以在对应所述第一贯穿区的所述功能层上形成第一过孔;
在所述光阻层上形成新一类的贯穿区;其中,所述在所述光阻层上形成新一类的贯穿区,包括:采用第二张光罩在所述光阻层上经过曝光显影形成第二贯穿区,并增加所述第一贯穿区的宽度;其中,所述第二张光罩包括第二透光孔和第三透光孔,所述第二透光孔对应所述第一贯穿区,所述第三透光孔对应所述第二贯穿区,所述第二透光孔和所述第三透光孔的宽度依次递减,所述第二透光孔的宽度大于所述第一透光孔;
对所述功能层进行第二次刻蚀,以在对应所述第二贯穿区的所述功能层上形成第二过孔,并使所述第一过孔的宽度和深度增大;
采用第三张光罩在所述光阻层上经过曝光显影形成第三贯穿区,并增加所述第一贯穿区和所述第二贯穿区的宽度;其中,所述第三张光罩包括第四透光孔、第五透光孔和第六透光孔,所述第四透光孔对应所述第一贯穿区,所述第五透光孔对应所述第二贯穿区,所述第六透光孔对应所述第三贯穿区,所述第四透光孔、所述第五透光孔和所述第六透光孔的宽度依次递减,所述第四透光孔的宽度大于所述第二透光孔,所述第五透光孔的宽度大于所述第三透光孔;
对所述功能层进行第三次刻蚀,以在对应所述第三贯穿区的所述功能层上形成第三过孔,并使所述第一过孔以及所述第二过孔的宽度和深度增大,以形成宽度和深度不同的三个过孔。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述功能层为显示装置中的阵列基板中的绝缘层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造