[发明专利]一种晶圆允收测试系统及提高其热使用效率的方法有效
申请号: | 201710941722.0 | 申请日: | 2017-10-11 |
公开(公告)号: | CN107680922B | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 张藏文;朱鹏 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆允收 测试 系统 提高 使用 效率 方法 | ||
本发明提供一种晶圆允收测试系统及提高其热使用效率的方法,所述测试系统包括:晶圆允收测试机台,用于测试待测晶圆的电学参数;以及真空密封装置,设于所述晶圆允收测试机台上,用于隔离所述待测晶圆与外部环境,以及监测所述晶圆允收测试机台的温度,并在所述晶圆允收测试机台开始升温时,抽取所述真空密封装置内的空气,直至达到预设真空度。通过本发明提供的晶圆允收测试系统及提高其热使用效率的方法,解决了现有WAT机台存在热量损失,热使用效率较低及存在能源浪费的问题。
技术领域
本发明涉及一种半导体测试技术领域,特别是涉及一种晶圆允收测试系统及提高其热使用效率的方法。
背景技术
集成电路芯片制造过程是一个需要精密控制的过程,一个小的疏漏都会引起大量的产品报废。半导体代工厂为了保证其生产加工完成的晶圆的品质以及生产线工艺的稳定性,在晶圆出厂前必须对晶圆进行晶圆允收测试(Wafer Acceptance Test,简称WAT)。WAT是芯片制造过程中重要的测试站点,其基本原理是测试位于晶圆切割道上的测试键(testkey),由测试出的关键参数的结果给出晶圆上芯片的电学性能是否符合客户的要求。
现有WAT机台主要包括测试机和探针台,探针台通过卡盘(chuck)装载待测试晶圆,同时装载有探针卡;探针卡通过测试机向待测试晶圆输入电性信号(包括电压和电流等激励),以对待测试晶圆进行接触测试,并向所述测试机反馈电信号,以实现对待测试晶圆的参数测试,从而判断所述待测试晶圆的电学性能。
当测试项目有温度要求时,现有WAT机台通过卡盘对所述待测试晶圆进行加热,以使所述待测试晶圆达到相应温度要求。但由于此种加热方式在加热过程中会有部分热能逸散到空气中,不仅造成了热量损失,还降低了所述晶圆允收测试机台的热使用效率,更造成了能源的浪费。
鉴于此,有必要设计一种新的晶圆允收测试系统及提高其热使用效率的方法用以解决上述技术问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种晶圆允收测试系统及提高其热使用效率的方法,用于解决现有WAT机台存在热量损失,热使用效率较低及存在能源浪费的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种晶圆允收测试系统,其特征在于,所述测试系统包括:
晶圆允收测试机台,用于测试待测晶圆的电学参数;以及
真空密封装置,设于所述晶圆允收测试机台上,用于隔离所述待测晶圆与外部环境,以及监测所述晶圆允收测试机台的温度,并在所述晶圆允收测试机台开始升温时,抽取所述真空密封装置内的空气,直至达到预设真空度。
优选地,所述晶圆允收测试机台包括:
测试机,所述测试机包括测试主机,及与所述测试主机电连接的测试头;
安装于所述测试头下表面的探针卡;以及
内设有腔体的探针台,所述探针台上表面设有与所述探针卡适配的开口,所述探针台内设有呈装所述待测晶圆的卡盘,及设于所述探针台内、且与所述卡盘电连接的第一控制器,所述第一控制器用于控制所述卡盘移动。
优选地,所述晶圆允收测试机台还包括与所述探针台连接的传输台,用于向所述探针台提供所述待测晶圆。
优选地,所述探针台与所述传输台之间还设有密封挡板。
优选地,所述探针台还包括设于所述探针台内侧壁上的机械臂,用于将所述传输台内的待测晶圆送至所述卡盘。
优选地,所述真空密封装置包括:
安装于所述探针台上方的密封罩,其中,所述测试头位于所述密封罩内;
安装于所述卡盘上、用于监测所述卡盘温度的温度传感器;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710941722.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造