[发明专利]一种优化侧壁金属化基板金属毛刺的切割方法有效
申请号: | 201710648812.0 | 申请日: | 2017-08-01 |
公开(公告)号: | CN107464780B | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 孙洪权;李建;李俊霖 | 申请(专利权)人: | 四川科尔威光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 徐丰 |
地址: | 610041 四川省成都市高新*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 优化 侧壁 金属化 金属 毛刺 切割 方法 | ||
本发明公开了一种优化侧壁金属化基板金属毛刺的切割方法,包括以下步骤:S1:将载片放置在热板上加热;S2:在载片上均匀涂抹粘接蜡,并将芯片贴在载片上;S3:用粘接蜡涂抹包裹整片芯片;S4:将粘接了芯片的载片贴合在聚酯薄膜上;S5:对载片进行切割;S6:切割分离后用用丙酮清洗芯片,将粘接蜡清洗掉。本发明使用粘接蜡将待切割的芯片包裹粘接在载片(普通玻璃片)上,使芯片所有面都被保护起来,避免切割造成的碎屑和金属拉丝;同时,本发明将芯片粘接在载片上,可以切入更深,避免切割相角。
技术领域
本发明涉及半导体器件制造技术领域,尤其涉及一种优化侧壁金属化基板金属毛刺的切割方法。
背景技术
在目前半导体器件制造中,有时会要求芯片侧面拥有图形化的金属结构,并与正面的图形相连接,以实现芯片的某些特有功能。在完成整版产品图形制作后,需要将其切割分离成独立单元。
传统的切割分离,会将整版芯片安装在mylar(聚酯薄膜)上固定和保护,但是这样只有芯片与mylar的接触面会被保护,在切割过程中,侧面的金属层会被拉起造成毛刺,造成切割废品。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种优化侧壁金属化基板金属毛刺的切割方法,解决现有技术的切割造成的毛刺、碎屑和金属拉丝。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:一种优化侧壁金属化基板金属毛刺的切割方法,包括以下步骤:
S1:将载片放置在热板上加热;
S2:在载片上均匀涂抹粘接蜡,并将芯片贴在载片上;
S3:用粘接蜡涂抹包裹整片芯片;
S4:将粘接了芯片的载片贴合在聚酯薄膜上;
S5:对载片进行切割;
S6:切割分离后用用丙酮清洗芯片,将粘接蜡清洗掉。
进一步地,所述的载片为玻璃片。
进一步地,步骤S2中所述的将芯片贴在载片上包括:缓慢平稳将芯片放置在载片上,适当按压芯片保证芯片与载片之间没有较大气泡,并且芯片与载片相对水平。
本发明的有益效果是:本发明使用粘接蜡将待切割的芯片包裹粘接在载片(普通玻璃片)上,使芯片所有面都被保护起来,避免切割造成的碎屑和金属拉丝;同时,本发明将芯片粘接在载片上,可以切入更深,避免切割相角。
附图说明
图1为本发明方法流程图。
具体实施方式
下面结合附图进一步详细描述本发明的技术方案:如图1所示,一种优化侧壁金属化基板金属毛刺的切割方法,包括以下步骤:
S1:将载片放置在热板上加热;
S2:在载片上均匀涂抹粘接蜡,缓慢平稳将芯片放置在载片上,适当按压芯片保证芯片与载片之间没有较大气泡,并且芯片与载片相对水平,避免切割后芯片侧壁呈倾斜;
S3:用粘接蜡涂抹包裹整片芯片;
S4:将粘接了芯片的载片贴合在聚酯薄膜上;
S5:对载片进行切割;
S6:切割分离后用用丙酮清洗芯片,将粘接蜡清洗掉。
更优地,在本实施例中,所述的载片为玻璃片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川科尔威光电科技有限公司,未经四川科尔威光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710648812.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种拉半导体电极引线的装置
- 下一篇:一种CMOS器件及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造