[发明专利]一种高纯度球形二氧化硅微粉的制备方法在审
申请号: | 201710367464.X | 申请日: | 2017-05-23 |
公开(公告)号: | CN107128935A | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
发明(设计)人: | 刘亚;王宇湖 | 申请(专利权)人: | 苏州纳迪微电子有限公司 |
主分类号: | C01B33/18 | 分类号: | C01B33/18 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人: | 范晴 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纯度 球形 二氧化硅 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及化学技术领域,具体涉及一种化合物的制备方法,特别涉及一种高纯度球形二氧化硅微粉的制备方法。
背景技术
球形硅微粉是一种重要的功能材料,具有低介电、高耐热、高耐温、高填充量、低膨胀、低应力、低密度、低摩擦系数和化学稳定性好等优越性能。球形硅微粉主要应用于大规模集成电路封装中的铜覆板以及环氧塑封料之填料,在航空航天、光导纤维、特种陶瓷、精细化工和日用化妆品等高技术领域也有应用。
随着大规模集成电路的发展,对塑封材料的要求越来越严格,不仅要求塑封填料硅微粉超细、高纯、放射性元素含量低,而且特别要求颗粒球形化。超大规模和特大规模集成电路中,集成度16M以上时,必须全部使用球形硅微粉。若硅微粉中放射性元素含量高,其产生的α射线将对集成电路产生干扰,使集成电路产生源误差,并破坏电路中储存的信息。集成电路的集成度越高时,集成电路间的导线距离越小,α射线对器件信号的干扰越敏感,因此大规模、超大规模集成电路对球形硅微粉中放射性元素的含量要求更加严格。
目前,球形硅微粉的制备方法分为化学方法和物理方法,乳液法是化学合成硅微粉方法中最常用的,已经工业化生产的一种方法。中国专利CN10704528中公开了一种以乳液法合成球形硅微粉的方法,采用硅酸盐为水相硅源,处理后的柴油为油相反应介质,油包水乳液合成球硅。此工艺硅源中金属杂质含量多,合成的硅微粉纯度低,有机反应介质易燃易爆,对环境和人体都有危害,而且乳液的配置需要添加乳化剂,对球形硅微粉会造成二次污染。
物理方法制备球形硅微粉主要采用火焰法,以氧化硅粉体为硅源,通过火焰球化炉煅烧熔融,使其表面球化制备球形硅微粉。中国专利CN102826550中以天然开采的石英矿为硅源,通过破碎、球磨制备超细的角形石英粉,再利用火焰炉在高温煅烧,使其表面棱角球化。此方法中使用的火焰炉设备复杂成本高,球形硅微粉的球化率低,细小角石英粉的制备过程中易引入杂质,而且矿物中的放射性元素也无法去除。中国专利CN101037206以硅溶胶为硅源,通过浓缩造粒得到类球形粉体,再煅烧球化制备球形硅微粉。此方法经过二次球化,工艺复杂,喷雾干燥和火焰炉能耗高,成本高,若制备高纯硅微粉需要以高纯硅溶胶为硅源,高纯硅溶胶合成工艺复杂,外购成本极高。
发明内容
鉴于现有技术制备球形硅微粉方法存在的缺点及不足,本发明所要解决的问题是提供一种高纯球形硅微粉的制备方法,本发明提供一种利用喷雾并原位固化的新方法制备高纯球形硅微粉,本方法不需要使用有机试剂作为反应介质,不需要使用乳化剂或其他添加剂,对硅微粉不会产生二次污染,无废液产生对环境无危害,不需要使用操作复杂、高成本的火焰球化炉,一次球化,工艺简单,合成成本低,同时硅微粉纯度高,可达到电子级要求。
为了解决上述技术问题,本发明提供一种高纯球形硅微粉的制备方法,具体步骤如下:
(1)将提纯后的有机硅与水、酸性催化剂混合,经过水解、缩合为有机硅聚合物,
(2)在喷雾塔内,将有机硅聚合物和碱性水溶液通过不同喷嘴同时喷出雾化,球形有机硅液滴与碱性水溶液反应,在喷雾塔的内部空间中原位固化形成球形氧化硅颗粒,
(3)固化后的球形颗粒落在装有碱性水溶液的喷雾塔底部,使球形硅微粉在碱性水溶液中陈化1~12小时,
(4)陈化结束后,通过固液分离获得球形硅微粉,将球形硅微粉进行干燥,
(5)在高温炉中500~1200℃煅烧,即得到高纯球形硅微粉。
本发明的一优选技术方案中,步骤(1)中,所述有机选自硅四甲氧基硅烷(TMOS)或者四乙氧基硅烷(TEOS)或者甲基三甲氧基硅烷(MTMS)中一种或者两种以上的混合物;所述酸性催化剂选自盐酸或硝酸或硫酸或乙酸或者甲酸中一种或者两种以上的混合。
本发明的一优选技术方案中,步骤(2)、(3)中,所述碱性水溶液选自氨水或四甲基氢氧化铵或胆碱或乙二胺或异丙胺或乙醇胺中一种或者两种以上的混合,优选地,所述碱性水溶液pH>8。
本发明的一优选技术方案中,步骤(3)中,使球形硅微粉在碱性水溶液中陈化1~12小时。
本发明的一优选技术方案中,步骤(4)中,将球形硅微粉在50~200℃干燥,且将碱性水溶液回收利用。
本发明的一优选技术方案中,步骤(5)中,在高温炉中800~1200℃煅烧0.5~2小时。
本发明与目前国内常用制备球形硅微粉的火焰法和微乳法相比,具有如下的明显优点:
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