[发明专利]一种硅微陀螺仪差分电容检测电路在审

专利信息
申请号: 201710364521.9 申请日: 2017-05-22
公开(公告)号: CN107238382A 公开(公告)日: 2017-10-10
发明(设计)人: 李宏生;朱昆朋;杨成 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G01C19/5776 分类号: G01C19/5776
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 代理人: 曾教伟
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 陀螺仪 电容 检测 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及硅微陀螺仪技术领域,具体是一种硅微陀螺仪差分电容检测电路。

背景技术

硅微机械陀螺仪是MEMS技术在惯性导航领域的重要应用之一,它利用哥氏效应原理来测量敏感轴的输入角速率。相较于传统陀螺仪,它具有体积小、重量轻、成本低、可批量生产、易于集成等优点,微惯性器件的这些特点使得它具有更宽广的应用范围,不仅可以用在汽车工程、移动通信、大地测量、地质勘探、微型卫星、运动器材等民用领域,还可以应用在军事领域上,包括制导炸弹、无人驾驶机智能炸弹等。

硅微陀螺仪的驱动模态利用在电容的两极板上施加交流电压,产生静电驱动力,从而使其产生沿驱动方向的机械振动;当有角速度输入时,产生的哥氏力使得检测模态在与驱动方向正交的方向上振动,通过对振动位移信号的提取以及后续处理就可以得到输入角速度信号。硅微陀螺仪微机械结构中位移的检测多采用差分电容方式实现,接口电路通过完成电容/电压转换以实现对敏感位移的检测,但是由于微陀螺质量较轻、振动速度较低,由哥氏效应引起位移变化非常微小,导致差分检测电容变化量在10-18F量级甚至更小,电容相对变化量ΔC/C为10-8量级,而周围环境的寄生电容在几百个fF到几个pF之间,且寄生电容网络结构复杂,会引入各种干扰信号,故硅微陀螺仪输出信号非常容易受到各种噪声和干扰信号的影响。因此,硅微陀螺仪机电接口需要一种高性能的差分电容检测电路。

发明内容

发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本发明提供一种硅微陀螺仪差分电容检测电路。

技术方案:为解决上述技术问题,本发明的一种硅微陀螺仪差分电容检测电路,包括方波发生器、桥式结构连接的模拟开关、参考电容以及差分运算放大器,方波发生器一端接地,另一端连接待检测硅微陀螺仪差分电容,待检测硅微陀螺仪差分电容连接桥式结构连接的模拟开关,而参考电容以及差分运算放大器均与桥式结构连接的模拟开关相连接;

方波发生器,用于产生方波电压信号;

桥式结构连接的模拟开关,在方波正负半周期切换电路状态,形成相应的充放电回路;

参考电容,用于方波正负半周期充放电过程中电荷的存储及积累,并形成与差分电容变化量相关的电压信号;

差分运算放大器,用于将参考电容上的电压信号做差后输出。

其中,方波发生器一端与地相连,另一端与所述硅微陀螺敏感差分电容的公共端相连。

其中,桥式结构连接的模拟开关包括第一模拟开关、第二模拟开关、第三模拟开关及第四模拟开关,第一模拟开关一端与第二模拟开关的一端相连,另一端与第四模拟开关的一端相连;第二模拟开关的另一端与第三模拟开关的一端相连;第三模拟开关的另一端与第四模拟开关的另一端相连。

其中,硅微陀螺敏感差分电容独立端与第一模拟开关和第二模拟开关的连接端相连,差分电容独立端与第三模拟开关和第四模拟开关的连接端相连。

其中,参考电容包括第一参考电容和第二参考电容,第一参考电容的一端与第四模拟开关和第一模拟开关的连接端相连,并与差分放大器的反相输入端相连,第一参考电容的另一端与地相连;第二参考电容的一端与第二模拟开关与第三模拟开关的连接端相连,并与差分放大器的同相输入端相连。

有益效果:本发明的一种硅微陀螺仪差分电容检测电路,具有以下有益效果:

(1)无信号调制与解调过程,电路结构简单,降低了电路具体实现对器件的要求;

(2)电路检测灵敏度与硅微陀螺敏感差分电容的静态值成反比,而硅微陀螺仪差分电容静态值通常在10-12F量级,故具有较高的检测灵敏度,特别适合应用于硅微陀螺仪差分电容检测;

(3)信号经差分放大器输出,可有效抑制共模噪声。

综上所述,本发明提出的差分电容检测电路结构简单实用,可有效实现硅微陀螺仪敏感差分电容的检测,提高硅微陀螺仪的信号检测灵敏度。

附图说明

图1为本发明实施方式差分电容检测电路示意图;

图2为本发明实施方式的第一参考电容与第二参考电容上电压曲线;

图3为与图2中第一参考电容与第二参考电容电压曲线对应的差分放大器输出电压曲线。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作更进一步的说明。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710364521.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top