[发明专利]铅晶电池正极板加工工艺及铅晶电池

权利要求书

1.一种铅晶电池正极板加工工艺，其特征在于：至少包括以下步骤：

步骤1、在正极铅膏的和制过程中添加占正极铅膏配方1wt％～2wt％的4BS晶种；

步骤2、将步骤1得到的铅膏涂覆于板栅表面，得到生极板，将所述生极板进行固化干燥处理；

其中，所述固化干燥工艺为：

(1)固化第一阶段，湿度99％～100％，温度从40～50℃匀速升至65～75℃，循环风机相对转速25％～35％，时间4～8小时；

(2)固化第二阶段，湿度90％～98％，温度65～75℃，循环风机相对转速35％～55％，时间12～24小时；

(3)固化第三阶段，温度65～75℃，湿度从90～98％匀速下降至30％～50％，循环风机相对转速35％～70％，时间12～24小时；

(4)干燥阶段，温度65～75℃，停止加湿，循环风机相对转速70％～100％，时间12～24小时；

上述方法获得的铅晶电池正极板的4BS晶体含量为40％～60％；所述正极板的4BS晶体的长度为10μm～20μm。

2.如权利要求1所述的铅晶电池正极板加工工艺，其特征在于：进行固化干燥前，所述生极板的含水量为10％～12％。

3.如权利要求1所述的铅晶电池正极板加工工艺，其特征在于：所述4BS晶种在铅膏和制的干混阶段加入。

4.如权利要求1所述的铅晶电池正极板加工工艺，其特征在于：所述4BS晶种的粒径为1μm～3μm。

5.如权利要求1所述的铅晶电池正极板加工工艺，其特征在于：所述正极铅膏的配方为：

铅粉995～1005kg；短纤维0.8～1.2kg；4BS晶种10～20kg；比重为1.4的硫酸液90～100kg；纯水115～125kg；

所述铅膏的视密度4.20～4.40g/cm³。

6.如权利要求1所述的铅晶电池正极板加工工艺，其特征在于：所述板栅的厚度为1mm～4.5mm。

7.如权利要求1所述的铅晶电池正极板加工工艺，其特征在于：所述生极板的厚度为1.4mm～5mm。

8.一种铅晶电池，包括正极板、负极板以及用于隔离所述正极板和所述负极板的隔膜，其特征在于：所述正极板为权利要求1～7任一项所述的铅晶电池正极板加工工艺得到的正极板。

9.如权利要求8所述的铅晶电池，其特征在于：所述正极板的4BS晶体含量为40％～60％；所述正极板的4BS晶体的长度为10μm～20μm。