[发明专利]包含叠加倒四棱锥绒面结构的多晶硅片、其制备方法及应用在审
| 申请号： | 201710347235.1 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107190316A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 赵燕;王燕;陈全胜;陈伟;吴俊桃;刘尧平;徐鑫;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 北京普扬科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B33/10;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京华创博为知识产权代理有限公司11551 | 代理人： | 张波涛,管莹 |
| 地址： | 101200 北京市平谷区中*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包含 叠加 棱锥 结构 多晶 硅片 制备 方法 应用 | ||
1.一种包含倒四棱锥组绒面结构的多晶硅片，所述硅片表面随机分布有倒四棱锥组，所述倒四棱锥组包括二个或多个至少部分相互叠加的倒四棱锥。
2.根据权利要求1所述的多晶硅片，其特征在于，所述倒四棱锥组还包括单独形成的倒四棱锥。
3.根据权利要求1所述的多晶硅片，其特征在于，所述倒四棱锥组还包括至少部分叠加的倒四棱锥和长方体的组合，所述长方体沿与倒四棱锥中心线平行的方向上叠加；进一步地，所述至少部分叠加的倒四棱锥和长方体的组合之间也相互叠加。
4.根据权利要求1-2所述的多晶硅片，其特征在于，所述倒四棱锥组的宽度为200-1600nm。
5.根据权利要求1-3所述的多晶硅片，其特征在于，所述倒四棱锥组所包括的倒四棱锥深度和宽度的比为0.2-2∶1。
6.一种权利要求1-5所述包含倒四棱锥绒面结构的多晶硅片的制备方法，其包括：
1)将多晶硅片放置于酸性制绒液中，进行一次蚀刻，清洗去除金属离子；
2)将清洗后的多晶硅片置于碱液中进行二次刻蚀，清洗即得。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述酸性制绒液中包含0.1-1.0mmol/L的银离子、20-180mmol/L的铜离子、2-8mol/L的HF和0.1-8mol/L的H2O2。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述一次刻蚀的时间为60-600s，温度为20-35℃。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述碱液为含1-10％的KOH或NaOH溶液。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述二次刻蚀的时间为5-300s，温度为20-30℃。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述二次刻蚀的时间大于等于120s。
12.权利要求1-5所述包含倒四棱锥绒面结构的多晶硅片在制备太阳能电池中的应用。
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