[发明专利]显示面板、显示面板的制程和显示装置

说明书

本发明公开了一种显示面板、显示面板的制程和显示装置，其中，显示面板的制程包括：在基板上铺设纳米氧化硅，形成纳米氧化硅层；在所述纳米氧化硅层上铺设非晶硅，形成非晶硅层；通过激光照射所述非晶硅层，使得所述非晶硅层再结晶形成多晶硅层；在所述多晶硅层上铺设栅极氧化物，形成栅极氧化物层。本发明通过激光照射非晶硅层，使得非晶硅层再结晶形成多晶硅层，从而降低了激光照射能量，降低成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示面板的制程和显示装置。

背景技术

液晶显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(BacklightModule)。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。

其中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay，TFT-LCD)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，目前已经逐渐占据了显示领域的主导地位。同样，薄膜晶体管液晶显示器包含液晶面板和背光模组，液晶面板包括彩膜基板(Color Filter Substrate，CF Substrate，也称彩色滤光片基板)和薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Substrate，TFT Substrate)，上述基板的相对内侧存在透明电极。两片基板之间夹一层液晶分子(Liquid Crystal，LC)。液晶面板是通过电场对液晶分子取向的控制，改变光的偏振状态，并藉由偏光板实现光路的穿透与阻挡，实现显示的目的。

在现有的TFT-LCD制程工艺中，需通过高能量的激光照射非晶硅，使得非晶硅再结晶形成多晶硅，其能量大，成本高。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种显示面板的制程，其降低激光照射的能量，降低成本。

本发明的另一个目的在于提供一种显示面板，其降低激光照射的能量，降低成本。

本发明的又一个目的在于提供一种显示装置，其降低激光照射的能量，降低成本。

为解决上述问题，本发明的实施例提供了显示面板的制程，所述制程包括以下步骤：

在基板上铺设纳米氧化硅，形成纳米氧化硅层；

在所述纳米氧化硅层上铺设非晶硅，形成非晶硅层；

通过能量小于或等于250兆焦耳的激光照射所述非晶硅层，使得所述非晶硅层再结晶形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上铺设栅极氧化物，形成栅极氧化物层。

进一步的，所述在纳米氧化硅层上铺设非晶硅，形成非晶硅层的步骤包括：

在所述纳米氧化硅层上铺设缓冲氧化物，形成缓冲氧化物层；

在所述缓冲氧化物层上铺设所述非晶硅，并形成所述非晶硅层。

进一步的，所述在基板上铺设纳米氧化硅，形成纳米氧化硅层的步骤包括：

在所述基板上铺设缓冲氮化物，形成缓冲氮化物层；

在所述缓冲氮化物层上铺设所述纳米氧化硅，并形成所述纳米氧化硅层。

进一步的，所述在所述多晶硅层上铺设栅极氧化物，形成栅极氧化物层的步骤之后还包括：

在所述栅极氧化物层上铺设栅极线。

同样地，为解决上述问题，本发明的实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括：