[发明专利]显示面板、显示面板的制程和显示装置有效
| 申请号： | 201710342078.5 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107195636B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 卓恩宗;田轶群 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板的制程，其特征在于，所述制程包括以下步骤：
在基板上铺设缓冲氮化物，形成缓冲氮化物层；
在所述缓冲氮化物层上铺设纳米氧化硅，并形成纳米氧化硅层；
在所述纳米氧化硅层上铺设缓冲氧化物，形成缓冲氧化物层；
在所述缓冲氧化物层上铺设非晶硅，形成非晶硅层；
通过能量等于220毫焦/平方厘米的激光照射所述非晶硅层，使得所述非晶硅层再结晶形成多晶硅层；
在所述多晶硅层上铺设栅极氧化物，形成栅极氧化物层；
在所述栅极氧化物层上铺设栅极线；
其中，所述纳米氧化硅层具有自组装介孔。
2.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
基板；
纳米氧化硅层，所述纳米氧化硅层设置在所述基板上；
缓冲氮化物层，所述缓冲氮化物层设置在所述纳米氧化硅层和基板之间；
多晶硅层，设置在所述纳米氧化硅层上；
栅极氧化物层，所述栅极氧化物层设置在所述多晶硅层上；
其中，所述纳米氧化硅层位于所述多晶硅层和基板之间，所述多晶硅层位于所述栅极氧化物层和纳米氧化硅层之间；
所述纳米氧化硅层具有自组装介孔。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
缓冲氧化物层，所述缓冲氧化物层设置在所述纳米氧化硅层和多晶硅层之间。
4.如权利要求2至3任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
栅极线，所述栅极线设置在所述栅极氧化物层上；
其中，所述栅极氧化物层位于所述栅极线和多晶硅层之间。
5.如权利要求2至3任一项所述的显示面板，其特征在于，所述基板包括玻璃板。
6.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求2至5任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
