[发明专利]天线、包括天线的微波等离子体源、和等离子体处理装置

说明书

发明构思的实施方式提供一种天线、包括天线的微波等离子体源、包括天线的等离子体处理装置以及半导体器件的制造方法。天线包括具有多个输出狭缝的下环以及设置在下环上的上环。上环具有从上环外部传送微波功率到下环上的输入狭缝。上环配置为关于下环旋转。

技术领域

本公开涉及用于制造半导体器件的装置，例如涉及传送微波功率的天线、包括天线的微波等离子体源、等离子体处理装置、处理基板的方法以及半导体器件的制造方法。

背景技术

通常，半导体器件可以通过多个单元工艺而制造。单元工艺可以包括沉积工艺、扩散工艺、热工艺、光刻工艺、抛光工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺以及清洁工艺。这些单元工艺当中的蚀刻工艺可以包括干蚀刻工艺和湿蚀刻工艺。沉积工艺和干蚀刻工艺可以使用等离子体反应执行。

发明内容

发明构思的实施方式可以提供能够调谐天线中的微波功率的谐振频率的微波等离子体源。

发明构思的实施方式可以提供能够增加或者最大化微波功率的能量传递效率的微波等离子体源。

根据一实施方式，天线包括具有多个输出狭缝的下环以及设置在下环上的上环。上环具有输入狭缝以及空腔形成在下环和上环之间，其中输入狭缝配置为从上环的外部传送微波功率到下环上。多个输出狭缝配置为从空腔传送微波功率到下环的外部。

根据一实施方式，微波等离子体源包括天线、配置为提供微波功率到天线的微波发生器以及将微波发生器连接到天线的波导。天线包括具有多个第一狭缝的下环以及设置在下环上的上环。上环可以具有配置为从波导传送微波功率到下环上的第二狭缝。

根据一实施方式，等离子体处理装置包括腔室以及配置为提供微波功率到腔室中以产生等离子体的微波等离子体源。微波等离子体源包括设置在腔室上的天线、配置为提供微波功率到天线的微波发生器以及将微波发生器连接到天线的波导。天线包括具有多个第一狭缝的下环以及设置在下环上的上环，上环具有配置为从波导传送微波功率到下环上的第二狭缝。

根据一实施方式，微波等离子体源包括天线、配置为提供微波功率到天线的微波发生器以及将微波发生器连接到天线的波导。天线包括连接到波导的第一狭缝、多个第二狭缝以及形成在第一狭缝和多个第二狭缝之间的空腔，其中第一狭缝和空腔之间的第一边界面在与空腔和第二狭缝之间的第二边界面延伸的方向不同的方向上延伸。

根据一实施方式，等离子体处理装置包括具有上部壳和下部壳的腔室以及配置为提供第一微波功率到腔室中的第一微波等离子体源。第一微波等离子体源包括设置在上部壳的边缘区上的第一天线、配置为提供第一微波功率到第一天线的第一微波发生器以及将第一微波发生器连接到第一天线的第一波导。第一天线包括连接到第一波导的第一输入狭缝、第一输出狭缝以及形成在第一输入狭缝和第一输出狭缝之间的空腔，其中第一输入狭缝和空腔之间的第一边界面在与空腔和第一输出狭缝之间的第二边界面延伸的方向不同的方向上延伸。

根据一实施方式，半导体器件的制造方法包括如下步骤：提供基板到等离子体处理装置的腔室中；提供微波功率到腔室中以在腔室中产生等离子体；通过等离子体处理基板；以及从腔室取出基板。提供微波功率到腔室中包括基于进入等离子体处理装置的天线的微波功率的频率而调谐等离子体处理装置的天线中的微波功率的谐振频率。

根据一些实施方式，半导体器件的制造方法包括：提供基板到等离子体处理装置的腔室中；提供第一微波功率到腔室中以在腔室中产生等离子体；通过等离子体处理基板；以及从腔室取出基板，其中等离子体处理装置包括传送第一微波功率到腔室中的第一天线，其中第一天线包括传送微波到第一天线中的第一狭缝、从第一天线传送微波到腔室的多个第二狭缝、以及设置在第一狭缝和第二狭缝之间的第一空腔，其中第一狭缝和第一空腔之间的第一边界面在与第一空腔和第二狭缝之间的第二边界面延伸的方向不同的方向上延伸。

附图说明

考虑附图和伴随的详细说明，发明构思将变得更加明显。