[发明专利]镀膜装置及其控制方法、衬底保持件、和存储介质有效

专利信息
申请号: 201710320234.8 申请日: 2017-05-09
公开(公告)号: CN107460445B 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 藤方淳平 申请(专利权)人: 株式会社荏原制作所
主分类号: C23C14/54 分类号: C23C14/54;H01L21/67
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 陈伟;王娟娟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 镀膜 装置 及其 控制 方法 衬底 保持 存储 介质
【说明书】:

本发明提供镀膜装置及其控制方法、衬底保持件、和存储介质。镀膜装置使用具有将衬底的被镀膜面密封的弹性突出部的衬底保持件对衬底进行镀膜,镀膜装置包括:测量装置,其构成为,通过测量所述衬底与所述衬底保持件的所述弹性突出部物理性接触时的、所述弹性突出部的挤压量和施加于所述弹性突出部的载荷的至少一者,来测量所述弹性突出部的变形状态;和控制装置,其构成为,基于所述测量的变形状态,判定所述弹性突出部进行的密封是否正常。

技术领域

本发明涉及对半导体晶片等被镀膜体(衬底)进行镀膜的镀膜装置、镀膜装置的控制方法、和存储有用于使计算机执行镀膜装置的控制方法的程序的存储介质。

背景技术

历来,在设置于半导体晶片等的表面的微细的布线用槽、孔、或者抗蚀开口部形成布线,或者在半导体晶片等的表面形成与封装的电极等电连接的凸块(突起状电极)。作为该形成布线和凸块的方法,例如已知有电解镀膜法、蒸镀法、印刷法、球状凸块法等,但是伴随半导体芯片的I/O数量的增加、细节距化,逐渐大多使用能够微细化且性能比较稳定的电解镀膜法。

近年,要求用镀膜装置对具有各种翘曲状态的衬底进行镀膜处理。已知在将这样的具有各种翘曲状态的衬底保持于衬底保持件并进行镀膜的情况下,产生由于密封件的按压状况不好而发生泄漏、镀膜的面内均匀性恶化这样的状况。

日本专利第5643239号公报(专利文献1)公开了一种衬底保持件,在由第一保持部件和第二保持部件夹持地保持衬底的外周部的衬底保持件中,由支承基座和利用压缩弹簧移动自如地支承于支承基座的可动基座构成第一保持部件。该衬底保持件中,当在可动基座上载置衬底并将衬底夹持在第一保持部件与第二保持部件之间时,将衬底向第二保持部件施力来吸收衬底的厚度的变化,由此,能够在将设置于衬底保持件的密封部件的压缩尺寸进一步保持在一定范围的状态下保持衬底。

日本专利第5782398号公报(专利文献2)公开了一种衬底保持件,在由第一保持部件和第二保持部件夹持地保持衬底的外周部的衬底保持件中,当由衬底保持件保持衬底时用第二保持部件的第一密封部件对第一保持部件与第二保持部件之间进行密封,并且用第二保持部件的第二密封部件对衬底的外周部进行密封,由此,由第一保持部件、第二保持部件和衬底在衬底保持件内形成内部空间。在使用该衬底保持件的镀膜方法中,实施将上述内部空间内抽真空并检查上述内部空间在一定时间后是否达到规定真空压力的第一阶段泄漏检查,来检查第一和第二密封部件的密封性,对保持第一阶段泄漏检查中合格了的衬底的衬底保持件实施密封上述内部空间并检查上述内部空间内的压力在规定时间内是否变化成规定值以上的第二阶段泄漏检查,来进一步检查第一和第二密封部件的密封性,使用第一和第二阶段泄漏检查中合格了的衬底保持件实施衬底的镀膜处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利第5643239号公报

专利文献2:日本专利第5782398号公报

发明内容

发明要解决的课题

专利文献1记载的衬底保持件,根据衬底的翘曲,使载置了衬底的可动基座移动来吸收衬底的厚度的变化,进一步将密封部件的压缩尺寸保持为一定,但是不是直接确认由衬底保持件夹持或者保持衬底时的密封部件的压缩尺寸(挤压量)。

专利文献2记载的镀膜装置中,在将衬底保持于衬底保持件时,检查由第一和第二密封部件密封的内部空间的压力在规定时间内是否成为规定的真空压力(第一阶段泄漏检查),检查在规定时间内是否产生规定值以上的变化(第二阶段泄漏检查),但是没有直接确认密封部件的压缩尺寸(挤压量)。此外,专利文献2记载的镀膜装置中,为了第一和第二阶段泄漏检查,需要另外设置真空配管、阀、示踪气体源等。

因此,期望直接确认在衬底保持件保持衬底时的密封部件的变形状态(按压状况),并能更可靠地进行镀膜处理。此外,期望直接确认密封部件的变形状态(按压状况),并能迅速地进行镀膜处理。

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