[发明专利]抛光垫修整器及其制造方法

权利要求书

1.一种抛光垫修整器，其特征在于包括：

一金属基座，所述金属基座具有一上表面以及一侧壁面；

一微波吸收层，所述微波吸收层覆盖所述金属基座的所述上表面以及所述侧壁面；以及

至少一研磨层，至少一所述研磨层设置于所述微波吸收层上，且所述研磨层具有多个分散设置的切削端部。

2.根据权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于其中，所述微波吸收层的厚度介于1至100μm之间，且所述研磨层的厚度介于10至50μm之间。

3.根据权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于其中，所述微波吸收层为碳化物层、类钻碳层或者是含有石墨的钻石膜层。

4.根据权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于其中，所述微波吸收层是含有石墨的钻石膜层，所述研磨层是由微波电浆化学气相沉积法所形成的钻石镀膜层，且所述微波吸收层的石墨含量及杂质含量大于所述研磨层的石墨含量及杂质含量。

5.根据权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于其中，所述金属基座的材料为钼、钨、钛、钒、不锈钢、镍或钼、钨、钛、钒、不锈钢、镍的合金。

6.根据权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于其中，至少一所述研磨层完全或者部分覆盖所述微波吸收层的一结合面。

7.根据权利要求6所述的抛光垫修整器，其特征在于其中，所述微波吸收层的所述结合面为一平坦表面，且所述微波吸收层的侧表面为一粗糙表面。

8.根据权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于其中，所述微波吸收层与所述金属基座包含同一种金属原子，且所述金属原子的浓度在所述微波吸收层的厚度方向上递减。

9.根据权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于其中，所述微波吸收层被区分为一靠近所述金属基座的过渡部分及一远离所述金属基座的主体部分，所述过渡部分的材料的热膨胀系数介于所述金属基座的热膨胀系数与所述主体部分的热膨胀系数之间。

10.一种抛光垫修整器的制造方法，其特征在于包括：

提供一金属基座，所述金属基座具有一上表面以及一侧壁面；

利用一种非微波电浆方法以形成一微波吸收层，所述微波吸收层完全覆盖所述金属基座的所述上表面与所述侧壁面；以及

通过一微波电浆化学气相沉积法，以形成一研磨层于所述微波吸收层上。

11.根据权利要求10所述的抛光垫修整器的制造方法，其特征在于其中，所述微波吸收层为碳化物层、类钻碳层或者含有石墨的钻石膜层。

12.根据权利要求10所述的抛光垫修整器的制造方法，其特征在于其中，所述非微波电浆方法是一种热灯丝化学气相沉积法、一种电浆辅助化学气相沉积法、一种直流喷射法、一种热阴极法、一种光照射式化学气相沉积法或者一种物理气相沉积法。

13.根据权利要求10所述的抛光垫修整器的制造方法，其特征在于其中，所述金属基座的材料为钼、钨、钛、钒、不锈钢、镍或钼、钨、钛、钒、不锈钢、镍合金。

14.根据权利要求10所述的抛光垫修整器的制造方法，其特征在于所述微波吸收层的厚度介于1至100μm之间，且所述研磨层的厚度介于10至50μm之间。

15.根据权利要求10所述的抛光垫修整器的制造方法，其特征在于其中，所述微波吸收层是含有石墨的钻石膜层，所述研磨层是钻石镀膜层，且所述微波吸收层的石墨含量及杂质含量大于所述研磨层的石墨含量及杂质含量。

16.根据权利要求10所述的抛光垫修整器的制造方法，其特征在于还包括：在形成所述微波吸收层之后，平坦化所述微波吸收层的一结合面，以使所述结合面的表面粗糙度低于所述微波吸收层的一侧表面的表面粗糙度，其中，所述研磨层形成于所述结合面上。