[发明专利]化学气相沉积工艺腔室及其清洗终点监测方法

说明书

本发明提供一种化学气相沉积工艺腔室及其清洗终点监测方法，通过在化学气相沉积工艺腔室的四周和底部的内壁上分别内嵌一个石英晶震片，将石英晶震片的电极镀膜层与化学气相沉积工艺腔室的内部连通；频率检测器用以检测石英晶震片的频率，并将频率检测器所测得的频率上传到控制器，所述控制器根据频率监测器所测得的频率变化实时监测化学气相沉积工艺腔室的内壁堆积膜层的厚度的变化以判断清洗终点。利用本发明对清洗终点进行监测，所得结果准确无误，保证了化学气相沉积工艺腔室的清洁度和产品良率。

技术领域

本发明属于液晶显示器领域，尤其涉及一种化学气相沉积工艺腔室及其清洗终点监测方法。

背景技术

在目前的液晶显示面板的阵列基板制造过程中，成膜机台主要有2中，分别为PVD(Physical Vapor Deposition物理气相沉积)机台和CVD(Chemical Vapor Deposition化学气相沉积)机台，其中PVD通过物理溅射沉积(也称为物理气相沉积)方法沉积Mo、Al、Ti、Cu等金属膜和ITO(Indium Tin Oxide氧化铟锡)、IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide铟镓锌氧化物)等半导体膜；CVD通过化学气相沉积方法沉积SiNx(硅的氮化物)、SiOx(硅的氧化物)、a-si(无定形硅，非晶硅)等非金属膜；目前CVD机台成膜过程中，阵列基板表面及化学气相沉积工艺腔室的内壁同时长膜，当生产一定数量的阵列基板后，化学气相沉积工艺腔室内壁的薄膜累计超过一定厚度时会发生脱落，影响成膜品质；因此使用过程中通常会在生产一定数量的阵列基板后进行化学气相沉积工艺腔室内壁的清洗，清除化学气相沉积工艺腔室的内壁堆积的薄膜。目前该清洗过程没有实时监控，通常根据经验进行特定时间的清洗即开始生产，无法准确判断清洗终点，使用过程中常发生清洗不干净的问题，甚至当清洗过程发生异常时也不能及时发现，进而会影响最终的成膜品质。

发明内容

为解决上述现有技术中无法准确判断清洗终点，使用过程中常发生清洗不干净的问题，甚至当清洗过程发生异常时也不能及时发现，进而会影响最终的成膜品质的技术问题，本发明提供一种化学气相沉积工艺腔室及其清洗终点监测方法，具体方案如下：

一种化学气相沉积工艺腔室，所述化学气相沉积工艺腔室的四周和底部的内壁上分别内嵌一个石英晶震片；

所述石英晶震片包括电极镀膜层，所述电极镀膜层与化学气相沉积工艺腔室的内部连通，在所述电极镀膜层上形成堆积膜层，所述石英晶震片的频率随着堆积膜层的厚度的变化而变化；

频率监测器，所述频率监测器与石英晶震片连接，利用所述频率检测器检测石英晶震片的频率；

控制器，所述控制器与频率监测器相连，频率监测器所测得的频率值上传到控制器，所述控制器根据频率监测器所测得的频率变化实时监测化学气相沉积工艺腔室的内壁堆积膜层厚度的变化以判断清洗终点时间。

优选的，所述控制器将频率监测器所测得的频率值与预设值进行比对，根据比对结果判断清洗起点时间；

其中，所述预设值包括第一工作频率和第二工作频率；

记录所述化学气相沉积工艺腔室第一次工作且尚未进行生产前，频率监测器所测得的频率，以作为第一工作频率，所述第一工作频率作为清洗终点判断基准设置到控制器中；

记录所述化学气相沉积工艺腔室第一次工作且根据产品检测状况，当生产一定数量的产品后需要对化学气相沉积工艺腔室的内壁进行清洗时频率监测器所测得的频率，以作为第二工作频率，所述第二工作频率作为清洗起始点判断基准设置到控制器中。

优选的，所述电极镀膜层的检测面与化学气相沉积工艺腔室内壁的内表面齐平。

一种如上所述的化学气相沉积工艺腔室的清洗终点监测方法，其特征在于，所述控制器根据频率监测器所测得的频率变化实时监测化学气相沉积工艺腔室的内壁堆积膜层厚度的变化以判断清洗终点时间。