[发明专利]灯及用于制造所述灯的方法有效
申请号: | 201710260084.6 | 申请日: | 2017-04-19 |
公开(公告)号: | CN107305835B | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
发明(设计)人: | 韩容愚;李成龙;池尙炫;尹柱英;尹泳一 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司;优尼焕特种光源有限公司 |
主分类号: | H01K1/36 | 分类号: | H01K1/36;H01K3/12 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨文娟;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 方法 | ||
灯及用于制造所述灯的方法被提出。根据本发明的灯包括发光部分,其配备有发光主体;固定壳体,其连接到所述发光部分以支撑所述发光部分;端子销,其插入并安装在所述固定壳体中且一端电连接到所述发光主体,及多个密封部分,其形成为包围所述固定壳体中的所述端子销的周围环境,形成为沿所述端子销的延伸方向具有多个阶梯形部分,所述多个阶梯形部分的至少两个阶梯形部分由彼此不同的密封材料制成,并密封所述端子销的周围环境。因此,根据本发明的实施例,增强所述端子销的外圆周表面的圆周的密封性能或密闭紧密度,并防止所述端子销的周围环境的漏电发生。由此,在高真空下维持及处理加热器块和处理腔室变得更容易。
技术领域
本文所公开的本发明涉及用于灯的设备及用于制造所述灯的方法,且更具体地说,涉及灯以及用于防止漏电的灯的制造方法。
背景技术
一般来说,热工艺是在用于制造半导体、显示器等的各种过程中必不可少的工艺。TiN、TiSi2、CoSi2等的欧姆接触合金化、离子植入损坏退火、掺杂剂活化和薄膜制造是需要热工艺的工艺。
作为用以执行此类热工艺的装备,存在锅炉及快速热处理(Rapid ThermalProcess;RTP)设备。因为难以均匀地维持整体衬底的温度,无论何时改变衬底(晶片)均难以维持其它衬底的相同温度-时间特性,或难以精确测量并控制衬底温度,所以RTP设备尚未受到关注。然而,近来正根据温度测量技术和温度控制技术的发展来替换锅炉。
RTP设备使用卤钨灯的辐射光线将热量传递到衬底。因此,RTP设备包含具有热处理空间的处理腔室、支撑安装在处理腔室中的衬底支撑夹具、放置在面向衬底支撑夹具的位置上方的加热器壳体,以及配备有安装在加热器外壳上的多个灯的加热块。
此处,灯包含固定并耦合到加热器壳体的固定壳体、配备有灯丝以发光而用于热工艺的发光部分、安装为连接在固定壳体与发光部分之间的主体、安装在固定壳体中的端子销以及安装为穿过主体和固定壳体以连接端子销与灯丝的导电线。
另一方面,夹持固定壳体以紧靠加热器壳体的灯安装表面,且安装端子销以在竖直方向上穿过固定壳体。此处,在固定壳体与灯安装表面之间的耦合位置与将端子销插入固定壳体的位置可成为漏电发生的起因。
如果在热处理设备处发生漏电,具体在加热块处发生漏电,那么难以将热处理设备的内部维持在真空状态下。因此,如果应维持高真空的处理状态,那么灯的漏电成为处理误差的主要起因。
为解决上述问题,通常,将O形环插入固定壳体的下表面处以防止在固定壳体与灯安装表面之间的耦合位置处发生漏电。并且,当端子销插入到固定壳体中时,注入以热固性聚合物制成的密封材料以便密封到端子销的外圆周表面与固定壳体之间的间隙中。
然而,由于热固性密封材料具有高黏度,在将热固性密封材料注入到端子销周围的过程中产生更多泡泡,其中泡泡成为漏电发生的起因。并且,在将引线插入到提供在固定壳体处的引线插入凹槽中之后,将热固性聚合物注入端子销的外圆周表面与固定壳体之间的狭窄间隙中,其中所述间隙过窄且热固性聚合物的注入变得困难,且由于狭窄间隙,在注入的同时产生泡泡。如此在端子销周围发生漏电成为在需要高真空的热处理设备的情况下的更大的问题。
<相关技术文件>
日本特许公开专利公报第1996-315785号
发明内容
技术问题
本发明是提供一种灯及用于防止漏电发生的灯的制造方法。
并且,本发明是提供一种灯及用于遏制端子销周围的漏电发生的灯的制造方法。
并且,本发明是提供一种灯及易于注入密封材料并能够遏制泡泡产生的灯的制造方法。
技术解决方案
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于AP系统股份有限公司;优尼焕特种光源有限公司,未经AP系统股份有限公司;优尼焕特种光源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710260084.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:双模式电离装置
- 下一篇:一种深硅刻蚀工艺和深硅刻蚀设备