[发明专利]一种PECVD镀膜方法及装置在审
申请号: | 201710248663.9 | 申请日: | 2017-04-17 |
公开(公告)号: | CN107058977A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 肖洁;谢振勇;吴得轶;李斌;符慧能 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008 | 代理人: | 周长清,廖元宝 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pecvd 镀膜 方法 装置 | ||
技术领域
本发明主要涉及等离子体技术领域,特指一种PECVD镀膜方法及装置。
背景技术
PECVD装置是太阳能电池片生产过程中用于镀减反射膜的设备,减反射膜能有效提高电池片的效率,一批电池片如果片间膜厚的均匀性不好,就会影响这批电池片的整体效率,所以控制好电池片膜厚的片间均匀性很重要,同一个石墨舟中电池片膜厚的均匀性受石英管中压力场,温度场,气体流量等均匀性的影响,而其中温度场的均匀性是最难控制的,它受外部环境、工艺气体温度、炉体加热炉丝的加热强度影响。做工艺时,工艺气体一直是流动的,从石英管口进入,流过石英管发生化学反应,然后被真空泵抽走;由于工艺气体进入石英管前温度比石英管内部温度低,所以工艺气体进入石英管后必然影响石英管内的温度,导致整个温度场的不均匀。
现有的技术是通过提高石英管管口处的炉体炉丝的加热强度,也就是提高炉丝的加热电流,使工艺气体在经过炉口处吸收更多的热量来使气体迅速升温,从而尽量减小工艺气体对整个石英管温度场的影响。但这种方法有两个显著的缺点:
1、炉口(石英管口)处加热炉丝的电流过高,导致在工艺过程中石英管口处温度比石英管其他部位温度稍高,对此电池片的镀膜存在较大影响,这是加大炉丝电流后不可避免的。
2、炉口处炉丝的电流调节难度较大,每一管电流都需要调节到一个合适的值,要在多次工艺中反复实验,使低温工艺气体对温度场的影响降到很低,同时又不能使炉口处加热能力过大而导致的炉口处温度过高,导致工作效率低。
发明内容
本发明要解决的技术问题就在于:针对现有技术存在的技术问题,本发明提供一种提高镀膜均匀性的PECVD镀膜方法,并相应提供一种结构简单、操作简便的PECVD装置。
为解决上述技术问题,本发明提出的技术方案为:
一种PECVD镀膜方法,在工艺气体进入PECVD装置的腔体之前,对工艺气体进行预热。
优选地,将工艺气体预热至与腔体内的温度一致。
本发明还公开了一种PECVD装置,包括腔体,所述腔体上设置有进气口和出气口,所述腔体的进气口前端设置有用于对工艺气体进行预热的预热组件。
作为上述技术方案的进一步改进:
所述腔体的进气口前端设置有流量计,所述预热组件安装于所述流量计与腔体进气口之间。
所述预热组件包括加热炉,所述加热炉的两端设置有端盖,所述加热炉的内部设置有加热炉丝以及用于输送工艺气体的输送管道。
所述输送管道呈螺旋状分布在加热炉内。
所述加热炉的外部包有金属套。
所述加热炉上设置有用于测量加热炉内温度的温度检测件。
与现有技术相比,本发明的优点在于:
本发明的PECVD镀膜方法,对进入腔体的工艺气体进行预热,保证进入腔体内的工艺气体温度与腔体内的温度接近或一致,从而保证腔体内工艺气体温度的均匀性,提高镀膜的均匀性。本发明的PECVD装置同样具有如上方法所述的优点,而且结构简单、操作简便且易于实现。
附图说明
图1为本发明的方框结构示意图。
图2为本发明的预热组件的剖视图。
图3为本发明的预热组件的立体结构图。
图4为本发明的加热炉的立体结构图。
图5为本发明的金属套的立体结构图。
图6为本发明的端盖立体结构图之一。
图7为本发明的输送管道立体结构图。
图中标号表示:1、腔体;11、进气口;12、出气口;2、预热组件;21、加热炉;22、端盖;23、加热炉丝;24、输送管道;25、金属套;26、温度检测件;3、流量计。
具体实施方式
以下结合说明书附图和具体实施例对本发明作进一步描述。
本实施例的PECVD镀膜方法,在工艺气体进入PECVD装置的腔体1(如石英管)之前,对工艺气体进行预热。本发明的PECVD镀膜方法,对进入腔体1的工艺气体进行预热,保证进入腔体1内的工艺气体温度与腔体1内的温度接近或一致,保证腔体1内工艺气体温度的均匀性,从而提高镀膜的均匀性。
本实施例中,将工艺气体预热至与腔体1内的温度相近或一致,如400℃,进一步提高工艺气体在腔体1内的均匀性。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南红太阳光电科技有限公司,未经湖南红太阳光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710248663.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的