[发明专利]超声波指纹识别组件电极图案的制备方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及指纹识别技术领域，尤其涉及一种超声波指纹识别组件电极图案的制备方法。

【背景技术】

目前，指纹识别组件主要分为压力式、电容式、光学式及声波式。其中，压力式、电容式及声波式指纹识别组件因其性能优异而被广泛应用于电子产品中，尤其是声波式指纹识别器件具有精准度高、不受油污、水分干扰，并可以穿透真皮、玻璃、金属及塑料等特点，更受行业喜爱。然而，声波式指纹识别组件线路图案往往采用银浆制备。需要在极化膜上制备线路图案，再灌注银浆，工艺复杂，成本较高，不利于电子产品大批量生产。

【发明内容】

为克服现有工艺复杂的问题，本发明提供一种超声波指纹识别组件电极图案的制备方法。

本发明解决技术问题的技术方案是提供一种超声波指纹识别组件电极图案的制备方法，其包括如下步骤：提供原位极化膜，采用具有设定图案的金属掩模板，在极化膜远离基板一面上形成电极图案层。

优选地，采用具有设定图案的掩模板，在极化膜远离基板一面上形成电极图案层具体为：制作具有一设定图案的金属掩模板，对金属掩模板进行预处理，将处理后的金属掩模板贴合在极化膜上，在极化膜上金属掩模板镂空区域形成所需的电极图案层。

优选地，所述金属掩模板的厚度为0.5-2mm。

优选地，所述金属掩模板相对的两表面经过表面处理，对金属掩模板进行预处理使贴合极化膜一表面镜面光滑，远离极化膜的另一表面粗糙。

优选地，所述金属掩模板远离极化膜的表面粗糙度为50-100μm。

优选地，所述电极图案层的线路宽大于等于100μm。

优选地，所述电极图案层的厚度0.1-0.5μm。

优选地，所述电极图案层的厚度0.25-0.35μm。

优选地，所述电极图案层的材料为导电金属及导电金属氮化物。

优选地，所述金属掩模板为不锈钢，铝，钛或钛合金材质。

与现有技术相比，本发明一种超声波指纹识别组件电极图案的制备方法具有以下优点：

通过采用具有设定图案的金属掩模板，在极化膜上形成电极图案层，从而省去在极化膜上制备线路图案，再灌注银浆的工艺，具有灵敏度高，精准性强，大大简化制备工艺流程；同时采用电极图案层取代银浆，降低了生产成本，适合批量化大规模生产。

【附图说明】

图1是本发明超声波指纹识别组件制备方法的工艺流程示意图。

图2是本发明超声波指纹识别组件制备方法的工艺具体流程示意图。

图3是本发明将高分子薄膜晶化及原位极化的工艺流程示意图。

【具体实施方式】

为了使本发明的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明第一实施例提供一种超声波指纹识别组件制备方法，其包括步骤S1，在基板上形成高分子薄膜，并将高分子薄膜晶化及原位极化形成极化膜；步骤S2，在极化膜远离基板一面上通过金属掩模板形成电极图案层。在本发明实施例中，所述基板为用于承载高分子薄膜的支撑件，可采用引线等方式，以辅助信号转换及传输，因此为广义的基板。优选地，所述基板为表面设置有薄膜晶体管的基板，以下简称TFT基板。以下内容请参阅图1及图2以TFT基板为示例进行具体说明。

步骤S1，在基板上形成高分子薄膜，并将高分子薄膜晶化及原位极化形成极化膜：其包括步骤S11，预处理；步骤S12，在TFT基板上形成高分子薄膜；步骤S13，将高分子薄膜晶化及原位极化；具体包括以下内容：

步骤S11，预处理：将TFT基板清洗并采用O₂进行等离子体表面处理。