[发明专利]采用激光标记对位的P型PERC双面太阳能电池及制备方法有效

专利信息
申请号: 201710123713.0 申请日: 2017-03-03
公开(公告)号: CN106972065B 公开(公告)日: 2019-01-29
发明(设计)人: 林纲正;方结彬;陈刚 申请(专利权)人: 浙江爱旭太阳能科技有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 广州知友专利商标代理有限公司 44104 代理人: 侯莉
地址: 322000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 采用 激光 标记 对位 perc 双面 太阳能电池 制备 方法
【说明书】:

发明公开一种采用激光标记对位的P型PERC双面太阳能电池及制备方法,包括从下至上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极,背电极主要由呈垂直相交的背极主栅和背铝栅线相连而成,在背面氮化硅膜上开有数条贯通背面氮化硅膜和氧化铝膜的开槽构成激光开槽区,P型硅露于开槽中,背铝栅线位于开槽中的部分与P型硅相连,在背面氮化硅膜上设置激光标记,激光标记和激光开槽区的相对位置预先设定,通过定位激光标记并根据激光开槽区与激光标记之间的距离进行印刷背铝栅线的对位。本发明能够确保每片硅片背面的铝浆准确覆盖在激光开槽区上,可有效降低双面PERC太阳能电池的不良率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术,尤其涉及一种采用激光标记对位的P型PERC双面太阳能电池,还涉及该太阳能电池的制备方法。

背景技术

晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能,利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件。当太阳光照射在半导体P-N结上时,会形成新的空穴-电子对,在P-N结电场的作用下,空穴由N区流向P区,电子由P区流向N区,接通电路后就形成了电流。

传统的晶硅太阳能电池一般只采用正面钝化技术,即在硅片的正面使用PECVD方式沉积一层氮化硅,降低少子在前表面的复合速率,可以大幅度提升晶硅太阳能电池的开路电压和短路电流,从而提升晶硅太阳电池的光电转换效率。

随着对晶硅太阳能电池光电转换效率的要求越来越高,人们开始研究PERC背钝化太阳电池技术。目前,业界主流厂家的焦点集中在单面PERC太阳能电池的量产化。而对于双面PERC太阳能电池而言,由于其光电转换效率高,同时双面吸收太阳光,发电量更高,在实际应用中具有更大的使用价值。

现有的PERC双面太阳能电池包括从下至上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极,背电极主要由呈垂直相交的背极主栅线和背极副栅线相连而成,背极副栅线通常是铝栅线,在背面氮化硅膜上开有贯通背面氮化硅膜和氧化铝膜的开槽构成激光开槽区,铝栅线位于开槽内的部分与P型硅相连。

在PERC双面太阳能电池的制备过程中,在背面印刷铝浆时,为了确定印刷铝浆的位置,一般采用硅片边对位方式。这种对位方式具体是:通过印刷机的摄像头获取硅片的四条边的位置来确定激光开槽区与硅片的边之间的距离,进而确定激光开槽区的位置,根据摄像头的定位,印刷机将铝浆准确地印刷在激光开槽区上。但是,这种硅片边对位方式存在以下缺陷:硅片在制备过程中会存在误差,使其外形不一定是标准的正方形形状,采用硅片边对位方式会带来定位不准的问题,这是由于印刷机在印刷时是根据硅片的边和激光开槽区之间的距离来确定印刷铝浆的位置,而硅片的形状不是规则的正方形,直接导致了每片硅片背面的铝浆无法准确印刷在激光开槽区上,如此,提高了双面PERC太阳能电池的不良率。

发明内容

本发明的第一个目的在于提供一种能够实现铝浆与激光开槽区的准确对位、降低电池不良率的采用激光标记对位的P型PERC双面太阳能电池。

本发明的第一个目的通过如下的技术方案来实现:一种采用激光标记对位的P型PERC双面太阳能电池,包括从下至上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极,所述背电极主要由呈垂直相交的背极主栅和背铝栅线相连而成,在所述背面氮化硅膜上开有数条贯通背面氮化硅膜和氧化铝膜的开槽构成激光开槽区,所述P型硅露于所述开槽中,所述背铝栅线位于开槽中的部分与P型硅相连,其特征在于:在背面氮化硅膜上设置激光标记,所述激光标记和激光开槽区的相对位置预先设定,通过定位激光标记并根据激光开槽区与激光标记之间的距离进行印刷背铝栅线的对位。

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