[发明专利]一种增加TLCNand闪存使用周期的方法及其系统

说明书

技术领域

本发明涉及数据存储技术领域，尤其涉及一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法及其系统。

背景技术

Nand闪存作为一种低价、大容量的存储设备，在嵌入式系统中使用越来越广泛。SLC(Single-Level Cell)闪存为Nand闪存中的一种，SLC利用正、负两种电荷，一个浮动栅存储一个字节的信息，约10万次擦写寿命。TLC(Triple-LevelCell)闪存为目前市面上应用较为普遍的一种Nand闪存，TLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个字节的信息，约500-1000次擦写寿命，对于TLC闪存来说，由于本身的擦写次数有限，频繁的大量写入数据是TLC闪存不能承受的。由此可见，如何提高TLC闪存的擦写寿命是亟待解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种可以增加TLC Nand闪存使用周期的方法及其系统，可以大大降低数码产品的成本。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法，包括：

判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块；

若是，则将所述坏块设置为SLC存储模式。

本发明采用的另一技术方案为：

一种增加TLC Nand闪存使用周期的系统，包括：

判断模块，用于判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块；

设置模块，用于若是，则将所述坏块设置为SLC存储模式。

本发明的有益效果在于：由于SLC闪存的擦写寿命大于TLC闪存，所以将TLC Nand闪存中的坏块设置为SLC存储模式继续使用，可以增加TLC闪存的使用周期，大大降低数码产品的成本。

附图说明

图1为本发明的一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法的流程图；

图2为本发明实施例一的一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法的流程图；

图3为本发明的一种增加TLC Nand闪存使用周期的系统的结构示意图；

图4为本发明实施例二的一种增加TLC Nand闪存使用周期的系统的结构示意图；

标号说明：

1、判断模块；2、设置模块；3、创建模块；4、添加模块；5、新建模块；6、调用模块；11、读取单元；12、判断单元；13、判定单元。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

本发明最关键的构思在于：将TLC Nand闪存中的坏块设置为SLC存储模式继续使用，可以延长TLC Nand闪存的使用寿命。

请参照图1，一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法，包括：

判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块；

若是，则将所述坏块设置为SLC存储模式。

从上述描述可知，本发明的有益效果在于：首先判断TLC Nand闪存中是否存在坏块，由于TLC Nand闪存可以操作在SLC存储模式，SLC闪存的擦写寿命大于TLC闪存，所以可将TLC Nand闪存中的坏块设置为SLC存储模式继续使用，大大降低数码产品的成本。

进一步的，所述“将所述坏块设置为SLC存储模式”之后还包括：

创建坏块表；

将所述坏块添加至所述坏块表。

由上述描述可知，将坏块添加至坏块表方便对坏块进行记录和查找。

进一步的，所述“判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块”具体为：

若对TLC Nand闪存的块中的一块进行擦除操作，则读取所述一块的错误更正码；

判断所述错误更正码是否满足可进行错误更正的预设条件；

若否，则判定所述一块为坏块。

由上述描述可知，当通过错误更正码不能更正块的错误时，即判断所述块为坏块。

进一步的，所述“将所述坏块添加至所述坏块表”之后还包括：

新建SLC空块列表，并将所述坏块对应的SLC块添加至所述SLC空块列表中；

当需使用SLC空块时，调用所述SLC空块列表的SLC块。

由上述描述可知，SLC空块列表中可以显示哪些SLC块为空块，即哪些SLC块可以调用替代TLC坏块进行存储。

请参照图3，本发明涉及的另一技术方案为：

一种增加TLC Nand闪存使用周期的系统，包括：