[发明专利]一种增加TLCNand闪存使用周期的方法及其系统

权利要求书

1.一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法，其特征在于，包括：

判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块；

若是，则将所述坏块设置为SLC存储模式。

2.根据权利要求1所述的增加TLC Nand闪存使用周期的方法，其特征在于，所述“判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块”具体为：

若对TLC Nand闪存的块中的一块进行擦除操作，则读取所述一块的错误更正码；

判断所述错误更正码是否满足可进行错误更正的预设条件；

若否，则判定所述一块为坏块。

3.根据权利要求1所述的增加TLC Nand闪存使用周期的方法，其特征在于，所述“将所述坏块设置为SLC存储模式”之后还包括：

创建坏块表；

将所述坏块添加至所述坏块表。

4.根据权利要求3所述的增加TLC Nand闪存使用周期的方法，其特征在于，所述“将所述坏块添加至所述坏块表”之后还包括：

新建SLC空块列表，并将所述坏块对应的SLC块添加至所述SLC空块列表中；

当需使用SLC空块时，调用所述SLC空块列表的SLC块。

5.一种增加TLC Nand闪存使用周期的系统，其特征在于，包括：

判断模块，用于判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块；

设置模块，用于若是，则将所述坏块设置为SLC存储模式。

6.根据权利要求5所述的增加TLC Nand闪存使用周期的系统，其特征在于，所述判断模块包括：

读取单元，用于若对TLC Nand闪存的块中的一块进行擦除操作，则读取所述一块的错误更正码；

判断单元，用于判断所述错误更正码是否满足可进行错误更正的预设条件；

判定单元，用于若否，则判定所述一块为坏块。

7.根据权利要求5所述的增加TLC Nand闪存使用周期的系统，其特征在于，还包括：

创建模块，用于创建坏块表；

添加模块，用于将所述坏块添加至所述坏块表。

8.根据权利要求7所述的增加TLC Nand闪存使用周期的系统，其特征在于，还包括：

新建模块，用于新建SLC空块列表，并将所述坏块对应的SLC块添加至所述SLC空块列表中；

调用模块，用于当需使用SLC空块时，调用所述SLC空块列表的SLC块。