[发明专利]包括具有高纯SP3键的CVD金刚石涂层的边缘环的部件

权利要求书

1.一种用于等离子体处理系统的基座，其包括：

衬底支撑表面；

围绕所述衬底支撑表面的周边布置的环形边缘环；和

布置在所述环形边缘环的暴露于等离子体的表面上的金刚石涂层，

其中所述金刚石涂层包括sp3键，并且

其中所述金刚石涂层中的所述sp3键的纯度大于99％。

2.根据权利要求1所述的基座，其中使用化学气相沉积将所述金刚石涂层沉积在所述环形边缘环上。

3.一种等离子体处理系统，其包括：

处理室，其中，根据权利要求1所述的基座配置在所述处理室内；和

等离子体源，其用于在所述处理室中产生等离子体。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理系统，其中所述等离子体源包括电容耦合等离子体源。

5.根据权利要求3所述的等离子体处理系统，其中所述等离子体源包括电感耦合等离子体源。

6.一种等离子体处理系统，其包括：

处理室，其中，根据权利要求1所述的基座配置在所述处理室内；和

远程等离子体源，其用于向所述处理室提供等离子体。

7.一种等离子体处理系统，其包括：

处理室；

等离子体源，其用于执行以下操作中的一个：向所述处理室供应等离子体；和在所述处理室中产生等离子体；和

布置在所述处理室中的至少一个部件，其包括金刚石涂层，

其中所述金刚石涂层包括sp3键，并且

其中所述金刚石涂层中的所述sp3键的纯度大于99％。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理系统，其中使用化学气相沉积将所述金刚石涂层沉积在所述至少一个部件上。

9.根据权利要求7所述的等离子体处理系统，其中所述至少一个部件选自由以下构成的组：

边缘环；

室壁；

气体分配装置；

气体喷射器；

进入所述处理室的窗；和

基座的上表面。

10.一种用于等离子体处理系统的边缘环，其包括：

环形环；和

金刚石涂层，其布置在所述环形环的在使用期间暴露于等离子体的表面上，

其中所述金刚石涂层包括sp3键，并且

其中所述金刚石涂层中的所述sp3键的纯度大于99％。

11.根据权利要求10所述的边缘环，其中使用化学气相沉积将所述金刚石涂层沉积在所述环形环上。

12.根据权利要求10所述的边缘环，其中所述环形环由选自由硅、碳化硅和二氧化硅构成的组中的材料制成。

13.根据权利要求10所述的边缘环，其中所述金刚石涂层具有1μm至1mm的厚度。

14.根据权利要求10所述的边缘环，其中所述金刚石涂层具有100μm至1mm的厚度。