[发明专利]一种量子点电致发光器件及其制作方法

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体地说，尤其涉及一种量子点电致发光器件及其制作方法。

背景技术

QLED(Quantum Dots Light-Emitting Diode，量子点电致发光器件)与OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)一样可以主动发光，具有响应速度快、视角广、轻薄、低功耗等优点，但其色纯度更高，应用于显示器可显示更广色域。量子点材料可以改变表面配体，易溶于多种溶剂中，非常适合低成本的溶液加工工艺。

PEDOT：PSS作为一种商业化空穴注入层材料，被广泛用于溶液加工型QLED器件中，使得器件具有优异的性能。但是，PEDOT：PSS在常温下PH值介于1～3之间，呈酸性特征。

相关研究表明，酸性的PEDOT：PSS会造成阳极界面的不稳定，降低器件使用寿命。这主要是因为ITO(IndiumTinOxide，氧化铟锡)中的In₂O₃(Indium(III)oxide，氧化铟)成分会在酸性环境下溶解，导致ITO中的铟发生迁移进入PEDOT：PSS中增加空穴注入势垒。如果铟扩散到量子发光层，则会造成激子的淬灭，从而导致器件效率和寿命的大幅下降。

发明内容

为解决以上问题，本发明提供了一种量子点电致发光器件及其制作方法，用于调控阳极空穴注入浓度并提高器件的稳定性和寿命。

根据本发明的一个方面，提供了一种量子点电致发光器件，包括：

阳极，设置于基底上；

第一空穴注入层，为中性空穴注入层，设置于所述阳极上；

第二空穴注入层，设置于所述第一空穴注入层上；

量子点发光层，设置于所述第二空穴注入层上；

阴极，设置于所述量子点发光层上。

根据本发明的一个实施例，所述第二空穴注入层为酸性空穴注入层。

根据本发明的一个实施例，所述第一空穴注入层的材料HOMO能级介于所述阳极的材料HOMO能级与所述量子点发光层的材料HOMO能级之间。

根据本发明的一个实施例，所述第一空穴注入层的材料包括PTPDES、PTPDES:TPBAH、PFO-co-NEPBN或PFO-co-NEPBN:F4-TCNQ。

根据本发明的一个实施例，所述第二空穴注入层的材料包括PEDOT：PSS。

根据本发明的一个实施例，在所述第二空穴注入层和所述量子点发光层之间还设置有空穴传输层。

根据本发明的一个实施例，在所述量子点发光层和所述阴极之间还设置有电子传输层。

根据本发明的另一个方面，还提供了一种用于制作量子点电致发光器件的方法，包括：

在基底上形成阳极；

在所述阳极上形成中性第一空穴注入层；

在所述第一空穴注入层上形成第二空穴注入层；

在所述第二空穴注入层上形成量子点发光层；

在所述量子点发光层上形成阴极。

根据本发明的一个实施例，还包括在形成所述量子点发光层之前，在所述第二空穴注入层上形成空穴传输层。

根据本发明的一个实施例，还包括在形成所述阴极之前，在所述量子点发光层上形成电子传输层。

本发明的有益效果：

本发明通过设计双层空穴注入结构，可以防止阳极ITO直接与酸性PEDOT：PSS接触而被腐蚀。同时，本发明还可以调控阳极空穴注入浓度，既可以提高器件的稳定性和寿命，又可以解决器件在高电流下效率滚降较快的问题。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍：

图1是现有技术中一种量子点电致发光器件的结构示意图；

图2是根据本发明的一个实施例的量子点电致发光器件的结构示意图；

图3是根据本发明的一个实施例的用于制作量子点电致发光器件的流程图。

具体实施方式